[發明專利]雙等離子體超薄隱埋氧化

無效

• 申請號: 200710169540.2
• 申請日: 2007-11-09
• 公開（公告）號: CN101207021A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 約努茨·拉杜;奧德麗·蘭伯特
• 申請（專利權）人: 硅絕緣體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝

1.一種用于鍵合以從半導體材料之中選擇的材料實現的兩片基板的方法，所述方法執行：

通過熱處理來鍵合所述兩片基板的步驟；

對各基板的要鍵合的表面的等離子體激活，所述兩片基板中的第一基板的要鍵合的表面包括氧化層，

該方法的特征在于，在包含氧氣的氣氛下執行對所述氧化層的等離子體激活，在中性氣氛下執行對第二基板的要鍵合的表面的等離子體激活。

2.根據權利要求1所述的鍵合方法，其特征在于，表面包括氧化層的基板是用于針對受主基板進行層轉移的施主基板。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化層是通過對所述施主基板的熱氧化來獲得的。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化層淀積在所述施主基板上。

5.根據前三項權利要求中的一項所述的方法，其特征在于，所述轉移使得可以獲得絕緣體上硅型結構。

6.根據前一權利要求所述的方法，其特征在于，所述絕緣體上硅包括厚度小于500_的超薄隱埋氧化型薄層。

7.根據前五項權利要求中的一項所述的方法，其特征在于，所述受主基板是硅。

8.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述中性氣體是氬氣。

9.根據前一權利要求所述的方法，其特征在于，等離子體激活過程中的功率密度是0.4W/cm²。

10.根據權利要求1至7中的任一項所述的方法，其特征在于，所述中性氣體是氮氣。

11.根據前一權利要求所述的方法，其特征在于，等離子體激活過程中的功率密度是0.8W/cm²。

12.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，結合權利要求2，其特征在于，在所述等離子體激活步驟之前，所述受主基板經受清潔步驟。

13.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，結合權利要求2，其特征在于，在所述等離子體激活步驟之前，所述施主基板經受清潔步驟。

14.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述熱鍵合處理在低溫下執行。

15.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述熱鍵合處理在200℃與600℃之間執行。

16.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述熱鍵合處理執行短的持續時間。

17.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述熱鍵合處理執行大約2小時。