[發明專利]可調諧電容器及其方法

有效

• 申請號: 200710169417.0
• 申請日: 2007-11-13
• 公開（公告）號: CN101183685A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: E·J·諾瓦克;D·W·斯托特;M·S·斯蒂杜哈爾;C·K·巴羅斯;J·A·亞丹扎
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 于靜;楊曉光

1.一種電容器包括：

半導體層，具有第一表面和第二表面，

其中所述第一表面與所述第二表面相對，和

其中所述半導體層包括鄰近摻雜的區域的單一的溝道區域和在多個摻雜的區域之間的多個溝道區域中的一個；

第一柵極，在所述第一表面上；以及

至少一個第二柵極，在所述第二表面上，

其中所述半導體層用于依賴于施加到所述摻雜的區域和所述多個溝道區域中的至少一個中的一個的電壓的量來改變所述電容器的電容值。

2.根據權利要求1的電容器，還包括用于在第一電壓值與第二電壓值之間選擇性地交替施加到所述摻雜的區域的所述電壓的量的器件。

3.根據權利要求2的電容器，其中，當將所述第一電壓值施加到所述摻雜的區域時，所述電容器呈現第一電容值以及其中，當將所述第二電壓值施加到所述摻雜的區域時，所述電容器呈現與所述第一電容值不同的第二電容值。

4.根據權利要求1的電容器，還包括鄰近所述多個溝道區域中的對應的一個設置的第二柵極并且其中所述第二柵極中的每一個用于選擇性地控制所述溝道區域中的一個的閾值電壓。

5.根據權利要求1的電容器，其中所述電容器依賴于所述溝道區域中的每一個中的導電性而呈現不同的電容值。

6.一種電容器，包括：

半導體層，具有第一表面、相對所述第一表面的第二表面、從所述第一表面和所述第二表面延伸的中心區域以及鄰近所述中心區域的至少一個摻雜的區域；

相對的柵極，鄰近所述中心區域分別在所述第一表面和所述第二表面上；以及

器件，用于在第一電壓值與第二電壓值之間選擇性地交替施加到摻雜的區域的電壓的量

7.根據權利要求6的電容器，其中，當將所述第一電壓值施加到所述摻雜的區域時，所述電容器呈現第一電容值以及其中，當將所述第二電壓值施加到所述摻雜的區域時，所述電容器呈現與所述第一電容值不同的第二電容值。

8.根據權利要求6的電容器，其中所述柵極中的每一個包括鄰近所述半導體層的柵極介質層和所述柵極介質層上的柵極導體層。

9.根據權利要求6的電容器，其中所述器件包括開關、電阻器以及電感器中的一個。

10.根據權利要求9的電容器，其中所述開關包括通柵開關和傳輸門開關中的一個。

11.根據權利要求6的電容器，其中所述第一電壓值在預定閾值電壓之上以形成相對低值的電容以及所述第二電壓值在所述預定閾值電壓之下以形成相對于所述低值的電容的高值的電容。

12.一種電容器，包括：

半導體層，具有第一表面和相對所述第一表面的第二表面，并包括至少三個摻雜的區域和在所述摻雜的區域之間的溝道區域；

第一柵極，在所述第一表面上；以及

多個第二柵極，在所述第二表面上，其中所述第二柵極彼此電隔離以及其中在鄰近兩個所述摻雜的區域之間的所述溝道區域中的對應的一個設置所述第二柵極中的每一個。

13.根據權利要求12的電容器，其中所述第二柵極中的每一個用于選擇性地控制所述溝道區域中的所述對應的一個的閾值電壓。

14.根據權利要求12的電容器，其中所述電容器依賴于所述溝道區域中的每一個的導電性而呈現不同的電容值。

15.根據權利要求12的電容器，還包括在所述第一表面上的多個第一柵極，其中所述第一柵極彼此電隔離以及其中在對應的兩個所述摻雜的區域之間相對所述第二柵極中的對應的一個設置所述第一柵極中的每一個。

16.一種選擇性地變化電容器的電容值的方法，所述方法包括以下步驟：

提供電容器，其包括：

半導體層，具有第一表面和第二表面；

第一柵極，在所述第一表面上；和

至少一個第二柵極，在所述第二表面上；以及

改變在所述半導體層內的摻雜的區域上的電壓條件與改變在所述半導體層內的多個溝道區域中的至少一個上的電壓條件中的一個。