[發明專利]一種半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710169212.2
• 申請日: 2007-11-02
• 公開（公告）號: CN101183684A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 馬克·W.·坎特爾;詹姆士·W.·阿迪克森;戴爾·W.·馬丁;詹姆士·V.·哈特三世;詹姆士·R.·愛略特
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/31
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 秦晨

1.一種半導體結構，包括：

位于基片上的拓撲特征；

連接所述拓撲特征的側壁的多層間隔件，所述多層間隔件包括被層壓到第二間隔件亞層上的含有沉積的硅氧化物材料的第一間隔件亞層，所述第二間隔件亞層包含與所述沉積的硅氧化物材料不同的材料，其中所述第一間隔件亞層相對于所述第二間隔件亞層被凹進。

2.權利要求1的半導體結構，其中，所述第一間隔件亞層相對于所述第二間隔件亞層被凹進不大于所述第一間隔件亞層的厚度的距離。

3.權利要求1的半導體結構，其中，所述第一間隔件亞層相對于所述第二間隔件亞層被凹進從大約50埃到大約150埃的距離。

4.權利要求1的半導體結構，其中，所述拓撲特征包含選自包括導體材料、半導體材料和電介質材料的組中的材料。

5.權利要求1的半導體結構，其中，所述拓撲特征包含導體材料。

6.權利要求1的半導體結構，其中，所述拓撲特征包括柵極電極。

7.權利要求1的半導體結構，其中，所述第二間隔件亞層包含硅氮化物材料。

8.權利要求1的半導體結構，其中，所述第二間隔件亞層包含與所述沉積的硅氧化物材料相比在化學氧化物去除(COR)蝕刻劑中具有較低蝕刻速率的第二種材料。

9.一種用于制造半導體結構的方法，包括：

在基片上形成拓撲特征；

形成連接所述拓撲特征的側壁的多層間隔件，所述多層間隔件包括被層壓到第二間隔件亞層上的含有沉積的硅氧化物材料的第一間隔件亞層，所述第二間隔件亞層包含與所述沉積的硅氧化物材料不同的材料；以及

利用化學氧化物去除(COR)蝕刻劑處理所述多層間隔件，以相對于所述第二間隔件亞層將所述第一間隔件亞層凹進。

10.權利要求9的方法，其中，所述第一間隔件亞層相對于所述第二間隔件亞層被凹進不大于所述第一間隔件亞層的厚度的凹槽距離。

11.權利要求9的方法，其中，形成所述拓撲特征使用選自包括導體材料、半導體材料和電介質材料的組中的材料。

12.權利要求9的方法，其中，形成所述多層間隔件使用連接所述拓撲特征的第一間隔件亞層和連接所述第一間隔件亞層的所述第二間隔件亞層。

13.權利要求9的方法，其中，所述化學氧化物去除(COR)蝕刻劑包含氨和氟化氫的氣體混合物。

14.權利要求9的方法，其中，處理所述多層間隔件將蝕刻限定殘余相對于所述第二間隔件亞層留在所述第一間隔件亞層的凹槽內。

15.權利要求9的方法，所述方法還包括在利用所述化學氧化物去除(COR)蝕刻劑處理所述半導體結構之前，利用氫氟酸/乙二醇蝕刻劑處理所述半導體結構。

16.權利要求9的方法，所述方法還包括利用緩沖氫氟酸蝕刻劑處理所述半導體結構，繼之以利用所述化學氧化物去除(COR)蝕刻劑處理所述半導體結構。

17.一種制造半導體結構的方法，包括：

在半導體基片上形成柵極電極；

形成連接所述柵極電極的側壁的多層間隔件，所述多層間隔件包括被層壓到第二間隔件亞層上的含有沉積的硅氧化物材料的第一間隔件亞層，所述第二間隔件亞層包含與所述沉積的硅氧化物材料不同的材料；以及

利用化學氧化物去除(COR)蝕刻劑處理所述半導體基片和所述多層間隔件，以相對于所述第二間隔件亞層將所述第一間隔件亞層凹進。

18.權利要求17的方法，所述方法還包括在所述柵極電極和所述半導體基片的暴露部分上形成多個硅化物層。

19.權利要求9的方法，其中，所述第一間隔件亞層相對于所述第二間隔件亞層被凹進小于所述第一間隔件亞層的厚度的凹槽距離。

20.權利要求9的方法，其中，所述化學氧化物去除(COR)蝕刻劑包含氨和氟化氫的氣體混合物。