[發明專利]一種金屬線柵寬帶偏振器及其制備方法無效
| 申請號： | 200710168491.0 | 申請日： | 2007-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN101183158A | 公開（公告）日： | 2008-05-21 |
| 發明（設計）人： | 楊振宇;陸培祥;戴能利;楊光;李玉華;龍華 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | G02B5/30 | 分類號： | G02B5/30;C23C28/00;C23C16/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 | 代理人： | 方放 |
| 地址： | 430074湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬線 寬帶 偏振 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬線柵寬帶偏振器，在基板上沉積出平行條狀金屬鋁納米線柵，其特征在于：所述基板為在紫外到紅外波段均透明的光學材料；所述金屬鋁納米線柵的結構參數為：線柵周期長度40-80納米，線柵占空比60％-40％，線柵厚度40-80納米，層間距10-20納米。
2.如權利要求1所述的金屬線柵寬帶偏振器，所述基板的光學材料為氟化鈣、氟化鎂或氧化鋁。
3.權利要求1或2所述的金屬線柵寬帶偏振器的制備方法，包括下述步驟：
(1).對基板進行清洗；
(2).用化學氣相沉積的方法在基板表面沉積一層保護膜；
(3).在保護膜上旋涂一層光刻膠；
(4).在光刻膠表面形成納米線柵結構，暴露出相應部分的保護膜；
(5).用反應離子刻蝕設備在保護膜上刻出納米線柵結構，暴露出相應部分的基板；
(6).用反應離子刻蝕設備在基板上刻出納米線柵結構，刻蝕深度為50-100納米；
(7).用反應離子刻蝕設備除去基板上剩余的保護膜；
(8).用磁控濺射設備在基板垂直表面鍍上鋁金屬膜，鋁金屬膜厚度為40-80納米，形成平行條狀金屬鋁納米線柵。
4.如權利要求3所述的金屬線柵寬帶偏振器的制備方法，其特征在于：在光刻膠表面形成納米線柵結構時，采用聚合物薄膜的納米自成型方法。
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