[發明專利]等離子處理裝置

無效

• 申請號: 200710168159.4
• 申請日: 2005-11-15
• 公開（公告）號: CN101203086A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 申寅澈;張圣基;金兌昱;柳炅昊;鄭修然
• 申請（專利權）人: K.C.科技股份有限公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24;H01L21/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李香蘭

1.一種等離子處理裝置，其特征在于，

包括流入工序氣體的氣體流入部、和將通過上述氣體流入部流入的工序氣體利用一對上部電極和下部電極進行放電而對基板進行等離子處理的等離子源，

在所述上部電極和下部電極中的至少一個的表面形成有氧化被膜。

2.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述氧化被膜形成在下部電極的表面。

3.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述下部電極由合金構成。

4.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述下部電極是由鋁、鈦、鎂、鋅、鉭中的任何一個的合金構成。

5.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述氧化被膜層是氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉭中的任何一個。

6.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述氧化被膜利用陽極氧化被膜形成法形成。

7.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述上部電極在流入的上述工序氣體中露出上表面整體。

8.如權利要求7所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述上部電極通過所述工序氣體和上部電極之間的熱交換而冷卻。

9.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述工序氣體的流量與所述基板的面積成比例

10.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述等離子源對應所述基板的大小而在所述基板上方設置多個。

11.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述等離子源沿著所述基板的前進方向設置多個。

12.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，

還設置有向所述等離子源供給電源的電源供給裝置。

13.如權利要求12所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述電源供給裝置還具備生成高電壓的功率變換器。

14.如權利要求13所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述功率變換器與所述等離子源形成為一體。

15.如權利要求14所述的等離子處理裝置，其特征在于，

形成為一體的所述功率變換器和所述等離子源通過電子波屏蔽物質與外部隔離。

16.如權利要求14所述的等離子處理裝置，其特征在于，

連接形成為一體的所述功率變換器和所述等離子源的線是高壓線，而控制所述功率變換器和所述等離子源的控制板則通過電源線連接。

17.如權利要求16所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述電源線被電子波屏蔽物質纏繞而與外部隔離

18.如權利要求1所述的等離子處理裝置，其特征在于，還包括：

調節所述基板上和等離子源的間隔的高度調節部；

驅動所述高度調節部的驅動部；和

控制所述驅動部的主控制部。

19.如權利要求18所述的等離子處理裝置，其特征在于，

所述高度調節部包括：

通過所述驅動部的打開/關閉而被驅動的兩側的一對氣缸、

將通過所述一對氣缸傳達的水平方向能量轉換為垂直方向能量的位于兩側的一對楔塊、

通過利用通過所述一對楔塊轉換的能量而將被安置的所述等離子源上升到規定的高度的位于兩側的一對裝載部、和

保持所述一對氣缸對所述一對楔塊施加的力相同的連接部。