[發(fā)明專利]超高純NiPt合金和包括該合金的濺射靶

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710168027.1
• 申請(qǐng)日: 2007-11-02
• 公開（公告）號(hào): CN101353732A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·惠;李辛華;D·朗;C·德林頓;B·孔克爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賀利氏有限公司
• 主分類號(hào): C22C1/02
• 分類號(hào): C22C1/02;B22D21/00;C22C19/00;C22C5/04;B22C3/00;C22F1/10;C22F1/14;C23C14/34;C23C14/14
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民;路小龍

1.制造至少4N5純度的超高純NiPt合金的方法，包括步驟：

(a)在熔爐中高溫加熱預(yù)定量的較低純度的Ni和Pt以形成NiPt合金熔體，所述熔爐由在所述高溫下對(duì)所述熔體惰性的材料構(gòu)成；和

(b)轉(zhuǎn)移所述熔體到具有脫模劑涂敷表面的腔的鑄模中，該脫模劑不使所述熔體受雜質(zhì)元素污染。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中：

步驟(a)包括在從大約1455到大約1650℃的溫度下加熱，以形成所述NiPt合金熔體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中：

步驟(a)包括加熱預(yù)定量的較低純度的Ni和Pt，其Ni∶Pt的原子比例在大約99∶1到大約20∶80的范圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中：

步驟(a)包括真空感應(yīng)熔煉(VIM)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中：

步驟(a)包括在由氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯(YSZ)構(gòu)成的熔爐中形成所述NiPt合金熔體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中：

步驟(a)包括通過(guò)除去在所述熔體上面形成的含有雜質(zhì)的爐渣而純化所述NiPt合金熔體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中：

步驟(a)包括通過(guò)從所述熔體蒸發(fā)雜質(zhì)，純化所述NiPt合金熔體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中：

步驟(b)包括不用中間包直接轉(zhuǎn)移所述熔體到所述鑄模。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中：

步驟(b)包括直接轉(zhuǎn)移所述熔體到由石墨構(gòu)成并具有用Al₂O₃脫模劑涂敷的腔的鑄模。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括步驟：

(c)從所述鑄模取出凝固的NiPt合金錠；和

(d)將所述錠進(jìn)行熱機(jī)械軋制，以減小所述NiPt合金的厚度和顆粒大小。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中：

步驟(d)包括水平向和橫向的交替軋制。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中：

步驟(d)包括在所述水平向軋制過(guò)程中預(yù)熱所述NiPt合金。

13.一種4N5超高純NiPt合金，其通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求12的方法制造。

14.一種4N5超高純NiPt合金，其具有Si濃度＜1ppm，B濃度＜0.2ppm，Ca濃度＜0.05ppm，Al濃度＜0.1ppm，和總的雜質(zhì)濃度＜50ppm。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的NiPt合金，其Ni∶Pt的原子比例在大約99∶1到大約20∶80的范圍。

16.根據(jù)權(quán)利要求14的NiPt合金，其顆粒大小為大約200到大約300μm。

17.一種濺射靶，其包括權(quán)利要求16所述的4N5超高純NiPt合金。