[發(fā)明專利]用于銅/鉬金屬的蝕刻液組成物及蝕刻方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710167317.4 | 申請日： | 2007-10-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101418449A | 公開（公告）日： | 2009-04-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林震威;蔡墨勛 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣巴斯夫電子材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23F1/16 | 分類號(hào)： | C23F1/16;C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 孟 銳 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 金屬 蝕刻 組成 方法 | ||
1.一種用于銅/鉬金屬的蝕刻液組成物，其包含，以蝕刻液組成物總重計(jì)：
1至25重量％的過氧化氫；
1至15重量％的氨基酸；
1至15重量％的pH值穩(wěn)定劑；
01至2重量％的含氟酸；
01至3重量％的酸性pH值調(diào)整劑；及
水性介質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組成物，其包含，以蝕刻液組成物總重計(jì)：
3至20重量％的過氧化氫；
5至5重量％的氨基酸；
8至3重量％的pH值穩(wěn)定劑；
01至0.3重量％的含氟酸；
02至0.5重量％的酸性pH值調(diào)整劑；及
水性介質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組成物，其中所述的水性介質(zhì)為去離子水。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組成物，其中所述的氨基酸為選自由甘氨酸、丙氨酸及其混合物所組成之群組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組成物，其中所述的pH值穩(wěn)定劑為選自由氟化銨、氟化氫銨、乙烯二氨四乙酸鹽及其混合物所組成之群組。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組成物，其中所述的含氟酸為選自由氫氟酸、氟硅酸及其混合物所組成之群組。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組成物，其中所述的酸性pH值調(diào)整劑為選自由磷酸、磷酸銨、醋酸、草酸、檸檬酸及其混合物所組成之群組。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組成物，其具有4至6.5之pH值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蝕刻液組成物，其用于平面顯示器、集成電路、覆晶封裝、印刷電路板、彩色濾光片、微機(jī)電、或銅/鉬兩層金屬層之其它應(yīng)用之蝕刻制程中。
10.一種銅/鉬金屬的蝕刻方法，其包括：
提供一基板；
于所述的基板上形成鉬金屬層；
于所述的鉬金屬層上形成銅金屬層；
于所述的銅金屬層上形成一圖案化罩幕層；及
以所述的圖案化罩幕層為罩幕，使用根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的蝕刻液組合物對所述的銅金屬層及鉬金屬層進(jìn)行蝕刻。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述的鉬金屬層為鉬或鉬合金且所述的銅金屬層為銅或銅合金。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述的鉬金屬層及銅金屬層的方法為物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法、電鍍法或無電電鍍法。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述的圖案化罩幕層為光阻。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中蝕刻系在溫度范圍為15至40℃下進(jìn)行。
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