[發(fā)明專利]半導體激光裝置及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710167220.3 | 申請日： | 2007-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN101252254A | 公開（公告）日： | 2008-08-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 藤本康弘;高山徹;木戶口勛 | 申請（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/026 | 分類號： | H01S5/026;H01S5/40;H01S5/22;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 激光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體激光裝置，包括彼此間留有間隔地形成在半導體襯底上的第一諧振器及第二諧振器，其特征在于：
上述第一諧振器具有第一緩沖層和第一半導體層，該第一半導體層包含形成在該第一緩沖層上的第一下部包覆層、第一活性層及第一上部包覆層且還形成有用來注入載流子的條狀結(jié)構(gòu)，
上述第二諧振器具有第二緩沖層和第二半導體層，該第二半導體層包含形成在該第二緩沖層上的第二下部包覆層、第二活性層及第二上部包覆層且還形成有用來注入載流子的條狀結(jié)構(gòu)，
在上述第一半導體層及第二半導體層的端面附近的區(qū)域分別形成有雜質(zhì)擴散后被無序化了的端面窗部，
上述第一緩沖層的禁帶寬度比上述第一活性層的禁帶寬度大，
上述第二緩沖層的禁帶寬度比上述第二活性層的禁帶寬度大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述第一緩沖層及第二緩沖層是n型AlGaInAs層和n型AlGaInP層交替疊層而成的疊層體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述半導體襯底由GaAs構(gòu)成，
上述疊層體的最靠近上述半導體襯底的層是上述AlGaInAs層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述AlGaInAs層的晶格常數(shù)大于上述半導體襯底的晶格常數(shù)，且上述AlGaInP層的晶格常數(shù)小于上述半導體襯底的晶格常數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述第一諧振器及第二諧振器分別是射出紅色激光的諧振器及射出紅外激光的諧振器，
上述第一緩沖層及第二緩沖層由用通式AlaGabIn1-a-bAs表示的化合物、和用通式AlcGadIn1-c-dP表示的化合物構(gòu)成，且0＜a＜1、0＜b＜1、b≤-2.4a+1.32、a+b≤1、0＜c＜1、0＜d＜1、d≥-c+0.53、c+d≤1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述第一緩沖層及第二緩沖層由用通式AleGafIn1-e-fAsgP1-g表示的材料構(gòu)成，且0＜e＜1、0＜f＜1、e+f＜1、0＜g＜1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述第一諧振器是射出紅色激光的諧振器，
上述第二諧振器是射出紅外激光的諧振器，
上述第一緩沖層的禁帶寬度等于或者大于上述第二緩沖層的禁帶寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述第一上部包覆層及第二上部包覆層都是由用通式AleGafIn1-e-fP表示的材料構(gòu)成的，且0＜e＜1、0＜f＜1、e+f＜1。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述第一下部包覆層及第一上部包覆層以及上述第二下部包覆層及第二上部包覆層的載流子濃度在1.0×1017cm-3以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述第一活性層由用通式AlgGahIn1-g-hP表示的材料構(gòu)成，且0≤g＜1、0＜h＜1、g+h＜1，
上述第二活性層由用通式AliGa1-iAs表示的材料構(gòu)成，且0≤i＜1。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于：
上述雜質(zhì)是鋅。
12.一種半導體激光裝置的制造方法，該半導體激光裝置包括彼此間留有間隔地形成在半導體襯底上的第一諧振器及第二諧振器，其特征在于：
該半導體激光裝置的制造方法包括工序a和工序b；在該工序a中，在上述半導體襯底上隔著第一緩沖層形成有包含第一活性層的第一半導體層，而且以隔著第二緩沖層且與上述第一半導體層留有間隔的方式形成有包含第二活性層的第二半導體層；在該工序b中，在上述第一半導體層及第二半導體層的成為諧振器端面的區(qū)域附近上形成了用來使雜質(zhì)擴散的雜質(zhì)材料層后，通過熱處理使上述雜質(zhì)在上述第一半導體層及第二半導體層中選擇性地擴散，
上述第一緩沖層的禁帶寬度比上述第一活性層的禁帶寬度大，
上述第二緩沖層的禁帶寬度比上述第二活性層的禁帶寬度大。
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