[發(fā)明專利]將弱單元用作讀取標(biāo)識(shí)符的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710167207.8
• 申請(qǐng)日: 2007-11-01
• 公開（公告）號(hào): CN101174459A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金厚成;韓義奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C16/06
• 分類號(hào): G11C16/06;G11C16/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種具有存儲(chǔ)器單元陣列的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器單元陣列包括：

正常存儲(chǔ)器單元；以及

標(biāo)志存儲(chǔ)器單元，其被配置為在其數(shù)據(jù)保留方面比正常存儲(chǔ)器單元更易受電壓力影響，并被用于監(jiān)視正常存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)保留特性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中標(biāo)志存儲(chǔ)器單元具有比正常存儲(chǔ)器單元大的耦合比。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中標(biāo)志存儲(chǔ)器單元被配置為比正常存儲(chǔ)器單元更易受軟編程影響。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中，標(biāo)志存儲(chǔ)器單元被配置為比正常存儲(chǔ)器單元更易受其中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的讀取干擾影響。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其中，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被配置為響應(yīng)標(biāo)志存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)的變化，備份存儲(chǔ)在正常存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。

6.一種具有存儲(chǔ)器單元陣列的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)型非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器單元陣列包括：

正常存儲(chǔ)器單元，包括每個(gè)具有控制柵極和用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的浮置柵極的MOS晶體管；以及

標(biāo)志存儲(chǔ)器單元，被配置為在其數(shù)據(jù)保留方面比正常存儲(chǔ)器單元更易受電壓力影響，并被用于監(jiān)視正常存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)保留特性。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其中標(biāo)志存儲(chǔ)器單元包括寬度比正常存儲(chǔ)器單元的浮置柵極的寬度大的浮置柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其中標(biāo)志存儲(chǔ)器單元被配置為比正常存儲(chǔ)器單元更易受其中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的讀取干擾影響。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器，其中非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被配置為響應(yīng)標(biāo)志存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)的變化，備份存儲(chǔ)在正常存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)。

10.一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)型非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器器件，包括：

存儲(chǔ)器單元陣列，包括正常存儲(chǔ)器單元和每一個(gè)與正常存儲(chǔ)器單元之一相對(duì)應(yīng)的標(biāo)志存儲(chǔ)器單元，其中，該正常存儲(chǔ)器單元包括每個(gè)具有控制柵極和用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的浮置柵極的MOS晶體管，標(biāo)志存儲(chǔ)器單元具有與正常存儲(chǔ)器單元相同的類型，并被配置為在其數(shù)據(jù)保留方面比正常存儲(chǔ)器單元更易受電壓力影響；以及

讀取電路，其被配置為選擇與輸入地址相對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)正常存儲(chǔ)器單元并從所選擇的正常存儲(chǔ)器單元中讀取數(shù)據(jù)，其中，

讀取電路在初始讀取操作中從與所選擇的正常存儲(chǔ)器單元相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)標(biāo)志存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)，響應(yīng)所讀取的數(shù)據(jù)識(shí)別是否發(fā)生了讀取干擾，并且當(dāng)識(shí)別出讀取干擾時(shí)暫停對(duì)所選擇的正常存儲(chǔ)器單元進(jìn)行讀取操作。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，進(jìn)一步包括當(dāng)識(shí)別出讀取干擾時(shí)、被配置為執(zhí)行數(shù)據(jù)往回復(fù)制操作以將數(shù)據(jù)從所選擇的正常存儲(chǔ)器單元讀入存儲(chǔ)器單元陣列的第一部分的電路。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，進(jìn)一步包括在執(zhí)行了數(shù)據(jù)往回復(fù)制操作之后、被配置為執(zhí)行擦除操作以擦除來(lái)自所選擇的正常存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)并初始化所選擇的正常存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)保留特性的擦除電路。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，進(jìn)一步包括在執(zhí)行了擦除操作之后、將數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)器單元陣列的第一部分往回復(fù)制到所選擇的正常存儲(chǔ)器單元并對(duì)所選擇的正常存儲(chǔ)器單元重新開始讀取操作的編程電路。

14.一種具有存儲(chǔ)器單元陣列的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器單元陣列包括：

存儲(chǔ)器單元陣列中的正常存儲(chǔ)器單元；以及

在正常存儲(chǔ)器單元未使用的存儲(chǔ)器單元陣列的備用單元區(qū)域中形成的指示單元，其中指示單元被配置為在其數(shù)據(jù)保留方面比正常存儲(chǔ)器單元更易受電壓力影響，并且指示單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)器訪問正常存儲(chǔ)器單元期間被參考并被用作觸發(fā)備份正常存儲(chǔ)器單元中的數(shù)據(jù)的指示符。