[發(fā)明專利]儲存電能的元件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710167016.1 | 申請日： | 2007-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN101373812A | 公開（公告）日： | 2009-02-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | J·賴锜;湯姆·A·阿甘 | 申請（專利權）人： | 北極光股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/00 | 分類號： | H01L43/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 美國明*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 儲存 電能 元件 | ||
1.一種儲存電能的元件，包含：
一第一磁性片；
一第二磁性片；以及
一半導體片，其夾在第一磁性片與第二磁性片之間；
其中，該半導體片與該第一、該第二磁性片之間的一接面形成一二極管的位障，以防止電流由該第一磁性片導通至該第二磁性片，并借此儲存電能。
2.根據(jù)權利要求1所述的儲存電能的元件，其特征在于該半導體片為一薄膜。
3.根據(jù)權利要求2所述的儲存電能的元件，其特征在于該薄膜的厚度小于30埃。
4.根據(jù)權利要求1所述的儲存電能的元件，其特征在于該半導體片由半導體材料所制成。
5.根據(jù)權利要求1所述的儲存電能的元件，其特征在于該第一磁性片為薄膜。
6.根據(jù)權利要求1所述的儲存電能的元件，其特征在于該第二磁性片為薄膜。
7.根據(jù)權利要求1所述的儲存電能的元件，其特征在于該接面有一不平坦表面。
8.根據(jù)權利要求1所述的儲存電能的元件，其特征在于一偏壓施于該二極管的位障，且該偏壓小于一導通電壓。
9.根據(jù)權利要求1所述的儲存電能的元件，其特征在于當磁場應用在該二極管的位障，則該二極管的位障儲存電能。
10.根據(jù)權利要求1所述的儲存電能的元件，其特征在于該二極管的位障為蕭基二極管的位障。
11.一種儲存電能的元件，包含：
多個磁性片；以及
多個半導體片，其夾在該些磁性片之間；
其中每一個這些半導體片與這些磁性片之間的多個接面形成一二極管的位障，以防止這些磁性片之間有電流導通，并借此儲存電能。
12.根據(jù)權利要求11所述的儲存電能的元件，其特征在于該半導體片為薄膜。
13.根據(jù)權利要求12所述的儲存電能的元件，其特征在于該薄膜的厚度小于30埃。
14.根據(jù)權利要求11所述的儲存電能的元件，其特征在于該半導體片由半導體材料所制成。
15.根據(jù)權利要求11所述的儲存電能的元件，其特征在于該第一磁性片為薄膜。
16.根據(jù)權利要求11所述的儲存電能的元件，其特征在于該第二磁性片為薄膜。
17.根據(jù)權利要求11所述的儲存電能的元件，其特征在于該接面有一不平坦表面。
18.根據(jù)權利要求11所述的儲存電能的元件，其特征在于一偏壓施于該二極管的位障，且該偏壓小于一導通電壓。
19.根據(jù)權利要求11所述的儲存電能的元件，其特征在于當磁場應用在該二極管的位障，則該二極管的位障儲存電能。
20.根據(jù)權利要求11所述的儲存電能的元件，其特征在于該二極管的位障為蕭基二極管的位障。
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