[發(fā)明專(zhuān)利]液晶顯示裝置及液晶顯示裝置的制造方法和電子設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710166897.5
• 申請(qǐng)日: 2007-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101183197A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松本友孝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 精工愛(ài)普生株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/13;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/00
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 汪惠民

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種具有例如圖像讀取功能的液晶顯示裝置、液晶顯示裝置的制造方法和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

目前，作為便攜式信息終端等的電子設(shè)備的顯示裝置，采用液晶顯示裝置。對(duì)于這種液晶顯示裝置，提出了一種通過(guò)設(shè)置光檢測(cè)區(qū)域而具有圖像讀取功能的液晶顯示裝置，該光檢測(cè)區(qū)域設(shè)有用于進(jìn)行光電變換的諸如光傳感器元件的接觸型區(qū)域傳感器(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。在這種液晶顯示裝置中，用于驅(qū)動(dòng)各像素區(qū)域和光檢測(cè)區(qū)域的開(kāi)關(guān)元件即TFT(ThinFilm?Transistor：薄膜晶體管)元件和光傳感器元件分別由作為主體的多晶硅構(gòu)成，各TFT元件和光傳感器元件在同一工序中形成。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：特開(kāi)2006-3857號(hào)公報(bào)

但是，即使在上述現(xiàn)有的液晶顯示裝置中，仍然存在以下問(wèn)題。即，在現(xiàn)有的液晶顯示裝置中，由于用于防止光傳感器元件接受背光而使檢測(cè)精度降低的遮光膜設(shè)置在光傳感器元件的外側(cè)，因此存在制造工藝復(fù)雜化之類(lèi)的問(wèn)題。此外，由于光傳感器元件和TFT元件同樣由作為主體的多晶硅構(gòu)成，因此存在光傳感器元件的設(shè)計(jì)自由度降低之類(lèi)的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種制造工藝簡(jiǎn)化和光傳感器元件的設(shè)計(jì)自由度提高了的液晶顯示裝置、液晶顯示裝置的制造方法以及包括它的電子設(shè)備。

本發(fā)明的目的是通過(guò)采用以下結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。即，本發(fā)明的液晶顯示裝置，是一種具有平面狀配置的多個(gè)像素區(qū)域和檢測(cè)光的光檢測(cè)區(qū)域的液晶顯示裝置，其特征在于，包括：設(shè)置在所述像素區(qū)域的每個(gè)上并對(duì)所述像素區(qū)域的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的第一開(kāi)關(guān)元件；和在與該第一開(kāi)關(guān)元件相同的層上形成的并對(duì)所述光檢測(cè)區(qū)域上設(shè)置的光傳感器元件進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的第二開(kāi)關(guān)元件，連接于所述光傳感器元件的傳感器用電極與連接于所述第二開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)用電極在同一層上形成。

此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，是一種具有平面狀配置的多個(gè)像素區(qū)域和檢測(cè)光的光檢測(cè)區(qū)域的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括：在同一層上，形成用于驅(qū)動(dòng)所述像素區(qū)域的第一開(kāi)關(guān)元件和用于驅(qū)動(dòng)所述光檢測(cè)區(qū)域的第二開(kāi)關(guān)元件的工序；以及形成通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)元件驅(qū)動(dòng)的光傳感器元件的工序，連接于所述光傳感器元件的傳感器用電極與連接于所述第二開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)用電極在同一層上形成。

在本發(fā)明中，在與進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制的第一和第二開(kāi)關(guān)元件不同的層上形成光傳感器元件時(shí)，由于將連接于光傳感器元件的電極與連接于第二開(kāi)關(guān)元件的電極在同一層上形成，因此可以簡(jiǎn)化具有光檢測(cè)區(qū)域的液晶顯示裝置的制造工藝。

即，在形成開(kāi)關(guān)用電極和光傳感器用電極時(shí)，由于能夠?qū)烧咴谕还ば蛐纬桑虼丝梢院?jiǎn)化液晶顯示裝置的制造工藝。

因此，由于在與第一和第二開(kāi)關(guān)元件不同的層上形成光傳感器元件，因此可以提高光傳感器元件的設(shè)計(jì)自由度，并且可以在檢測(cè)區(qū)域上形成更高靈敏度的光傳感器。

此外，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，優(yōu)選所述傳感器用電極覆蓋所述光傳感器元件的下面，同時(shí)由光反射材料或光吸收材料構(gòu)成。

在本發(fā)明中，由于傳感器用電極由光反射材料或光吸收材料構(gòu)成，并且覆蓋光傳感器元件的下面，因此傳感器用電極起作遮光膜的功能。由此，可以防止光傳感器元件檢測(cè)從下面一側(cè)入射的光，并且提高了光檢測(cè)區(qū)域的光檢測(cè)精度。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，連接于所述光傳感器元件的其它傳感器用電極在與所述像素區(qū)域上設(shè)置的顯示用電極相同的層上形成。

在本發(fā)明中，由于顯示用電極和其它傳感器用電極在同一層上形成，因此可以在同一工序中形成這兩者，由此可以簡(jiǎn)化液晶顯示裝置的制造工藝。

此外，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，所述第一和第二開(kāi)關(guān)元件優(yōu)選是薄膜晶體管。

在本發(fā)明中，由于第一和第二開(kāi)關(guān)元件由薄膜晶體管構(gòu)成，因此與使用二極管來(lái)構(gòu)成的情況相比，可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)的高速化。

此外，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，所述第一和第二開(kāi)關(guān)元件優(yōu)選由作為主體的多晶硅構(gòu)成。

在本發(fā)明中，由于第一及第二開(kāi)關(guān)元件和光傳感器元件可以分別分開(kāi)地設(shè)計(jì)，因此通過(guò)將多晶硅作為主體來(lái)構(gòu)成第一和第二開(kāi)關(guān)元件，從而獲得驅(qū)動(dòng)的高速化。

此外，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，所述光傳感器元件優(yōu)選是疊層型PIN二極管。

在本發(fā)明中，由于光傳感器元件由薄膜PIN二極管構(gòu)成，因此可以提高光的檢測(cè)效率。

此外，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，所述光傳感器元件優(yōu)選由非晶硅作為主體構(gòu)成。