[發明專利]圖像顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200710166857.0
• 申請日: 2007-10-22
• 公開（公告）號: CN101165907A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 松村三江子;豐田善章;佐藤健史;波多野睦子
• 申請（專利權）人: 株式會社日立顯示器
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 季向岡

1.一種圖像顯示裝置，包括有源矩陣基板，上述有源矩陣基板具有：在絕緣性基板上形成的多條柵極線、和與上述多條柵極線交叉成矩陣狀而形成的多條數據線，在上述柵極線與上述數據線的交叉部分形成多個像素，在由上述多個像素構成的顯示區域的外側形成包含用于驅動該像素的驅動電路的外圍電路，上述像素具有薄膜晶體管和保持電容，上述外圍電路具有薄膜晶體管，

所述圖像顯示裝置的特征在于：

上述柵極線是下層金屬膜與上層金屬膜的層疊結構，上述保持電容的上部電極是與構成上述柵極線的上述下層金屬膜同層的金屬膜。

2.根據權利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

上述薄膜晶體管，由n溝道傳導型和p溝道傳導型這2種構成，一者的薄膜晶體管的柵極電極，是與上述柵極電極相同結構的層疊結構，另一者的薄膜晶體管的柵極電極是與上述柵極電極的下層金屬膜同層的電極。

3.根據權利要求2所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

上述柵極電極的下層金屬膜是透明電極。

4.根據權利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

上述下層金屬膜的膜厚比上述上層金屬膜的膜厚薄。

5.根據權利要求4所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

上述下層金屬膜的膜厚為20nm以上60nm以下。

6.根據權利要求1所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

構成上述保持電容的下部電極，由具有n型多晶硅的下部電極和具有p型多晶硅的下部電極構成。

7.根據權利要求2所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

構成上述薄膜晶體管的上述柵極電極的下層金屬膜和上層金屬膜的寬度相同。

8.根據權利要求2所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

構成上述薄膜晶體管的上述柵極電極的下層金屬膜的寬度比上層金屬膜的寬度寬。

9.根據權利要求2所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

構成上述外圍電路中的上述薄膜晶體管的上述柵極電極的下層金屬膜的寬度比上層金屬膜的寬度寬，構成上述像素中的上述薄膜晶體管的上述柵極電極的下層金屬膜和上層金屬膜的寬度相同。