[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710166807.2 | 申請(qǐng)日: | 2007-10-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101165854A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 橫內(nèi)健一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/67;G02F1/1333;H01J9/00;G11B5/84;G11B7/26;G03F1/00 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 徐恕 |
| 地址: | 日本京都*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基板處理裝置和基板處理方法。作為處理對(duì)象的基板,例如包括半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示裝置用基板、FED(場(chǎng)致發(fā)射顯示器)用基板、光盤(pán)用基板、磁盤(pán)用基板、光磁盤(pán)用基板、光掩模用基板等。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置或液晶顯示裝置的制造工序中,對(duì)半導(dǎo)體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板表面上實(shí)施清洗處理。用于對(duì)基板進(jìn)行清洗的基板處理裝置例如包括水平地保持基板并使其轉(zhuǎn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)、用于向被保持在該旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)上的基板表面供給清洗液的清洗液噴嘴。
從清洗液噴嘴將清洗液供給到由旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的基板的表面的轉(zhuǎn)動(dòng)中心附近。來(lái)自清洗液噴嘴的清洗液在由基板的轉(zhuǎn)動(dòng)而引起的離心力的作用下遍布基板表面的所有區(qū)域。從而,在基板表面上形成了覆蓋其表面所有區(qū)域的清洗液的液膜,對(duì)基板表面進(jìn)行清洗處理。
在清洗處理后,在旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)的作用下以給定的高轉(zhuǎn)速使基板轉(zhuǎn)動(dòng)。從而將清洗液的液膜拋甩到基板的周?chē)⑹够甯稍铩>唧w地說(shuō),從正上方向以給定的高轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)的基板的所述表面中心部(所述轉(zhuǎn)動(dòng)中心和其附近)供給干燥用空氣,通過(guò)從該中心部將液膜排除,使基板干燥(例如JP特開(kāi)平7-29866號(hào)公報(bào))。
在朝向基板中心部吹干燥用空氣時(shí),在基板的轉(zhuǎn)動(dòng)中心附近會(huì)殘存液滴,即使使基板轉(zhuǎn)動(dòng),由于轉(zhuǎn)動(dòng)中心附近幾乎沒(méi)有離心力,所述液滴由干燥用空氣而被捕獲在轉(zhuǎn)動(dòng)中心附近,不能被輕易地排除。因而基板以清洗液的液滴原封不動(dòng)地殘留在基板中心部的表面上的狀態(tài)被干燥,所以在基板中心部的表面上會(huì)產(chǎn)生水漬等干燥不良。特別是由氟酸處理后的基板或在表面上形成了低k膜的基板等其表面為憎水性的基板上,容易產(chǎn)生干燥不良。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠控制干燥不良的產(chǎn)生并使基板均勻干燥的基板處理裝置和基板處理方法。
本發(fā)明的基板處理裝置包括:基板保持單元,其將作為處理對(duì)象的基板保持為近似水平;處理液噴嘴,其將處理液供給到所述基板保持單元所保持的基板的主面上;氣體噴嘴,其將惰性氣體供給到所述基板保持單元所保持的基板的主面上;氣體噴嘴移動(dòng)單元,其使所述氣體噴嘴沿著所述主面移動(dòng);控制單元,該控制單元實(shí)施下述工序,即,液膜形成工序,通過(guò)從所述處理液噴嘴向所述基板保持單元所保持的基板的主面供給處理液,在所述主面的整個(gè)區(qū)域上形成處理液的液膜;液膜除去區(qū)域形成工序,通過(guò)從所述氣體噴嘴將惰性氣體供給到形成有所述液膜的所述主面上,在不包含所述主面的中心的區(qū)域內(nèi),形成除去了所述液膜的液膜除去區(qū)域;液膜除去區(qū)域移動(dòng)工序,在所述液膜除去區(qū)域形成工序后,通過(guò)一邊從所述氣體噴嘴向所述主面供給惰性氣體,一邊由所述氣體噴嘴移動(dòng)單元使所述氣體噴嘴移動(dòng),由此使所述液膜除去區(qū)域移動(dòng),使所述中心配置在該液膜除去區(qū)域內(nèi);基板干燥工序,在所述液膜除去區(qū)域移動(dòng)工序后,通過(guò)使所述液膜除去區(qū)域擴(kuò)大,從所述主面將處理液排除,并使基板干燥。
將處理液供給到由基板保持單元保持為近似水平的基板的主面上,在所述基板主面的整個(gè)區(qū)域上形成處理液的液膜。然后通過(guò)從氣體噴嘴將惰性氣體供給到形成了所述液膜的所述主面上,在不包含所述主面中心的區(qū)域內(nèi),形成除去了所述液膜的液膜除去區(qū)域。在所述液膜除去區(qū)域形成后,通過(guò)從氣體噴嘴向所述主面供給惰性氣體,并由氣體噴嘴移動(dòng)單元使氣體噴嘴移動(dòng),使所述液膜除去區(qū)域移動(dòng)到所述主面的中心部(所述中心和其附近),從而將所述中心配置在所述液膜除去區(qū)域內(nèi)。
根據(jù)該結(jié)構(gòu),預(yù)先在不包含所述主面中心的區(qū)域內(nèi)形成液膜除去區(qū)域,使所述液膜除去區(qū)域移動(dòng)到包含所述主面中心的位置。從而,能夠遏制或防止由供給到所述主面上的惰性氣體捕獲該主面上的處理液的情況。而且,即使在噴出惰性氣體時(shí)在基板主面上產(chǎn)生液滴,在液膜除去區(qū)域移動(dòng)過(guò)程中,該液滴由主面上的液膜吸收。因而能夠遏制所述主面上的液滴原封不動(dòng)地蒸發(fā)而產(chǎn)生干燥不良。
在所述液膜除去區(qū)域移動(dòng)后,使該液膜除去區(qū)域擴(kuò)大,由此能夠從所述主面將處理液排除,并使基板干燥。此時(shí)所述液膜除去區(qū)域配置在所述中心部,在該液膜除去區(qū)域內(nèi)不存在處理液。因而能夠可靠地從所述中心部將處理液排除,同時(shí)能夠遏制在所述液膜除去區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生干燥不良。從而能夠遏制在所述主面上產(chǎn)生干燥不良,使所述基板均勻干燥。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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