[發明專利]陶瓷/金屬復合結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710166784.5
• 申請日: 2007-11-19
• 公開（公告）號: CN101439984A
• 公開（公告）日: 2009-05-27
• 發明（設計）人: 段維新;楊聰仁
• 申請（專利權）人: 段維新
• 主分類號: C04B37/02
• 分類號: C04B37/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃 健

1.一種陶瓷/金屬復合結構，其包括：

一陶瓷基板；

一金屬界面層，位于所述陶瓷基板上，所述金屬界面層的材料為鎳磷 合金或鎳硼合金；

一銅片，位于所述金屬界面層上；

通過加熱所述陶瓷基板、所述金屬界面層及所述銅片，使所述金屬界 面層同時與所述陶瓷基板及所述銅片接合形成強鍵結。

2.如權利要求1所述的陶瓷/金屬復合結構，其中，所述金屬界面層的 熱膨脹系數介于所述陶瓷基板與所述銅片的熱膨脹系數之間。

3.如權利要求1所述的陶瓷/金屬復合結構，其中，所述銅片上具有一 線路或接點。

4.一種陶瓷/金屬復合結構的制造方法，包括以下步驟：

提供一陶瓷基板；

于所述陶瓷基板上披覆一金屬界面層，所述金屬界面層的材料為鎳磷 合金或鎳硼合金；

將一銅片置于所述金屬界面層上；

加熱所述陶瓷基板、所述金屬界面層及所述銅片，使所述金屬界面層 同時與所述陶瓷基板及所述銅片接合形成強鍵結。

5.如權利要求4所述的陶瓷/金屬復合結構的制造方法，其中，所述金 屬界面層是以無電鍍方式披覆于所述陶瓷基板上。

6.如權利要求4所述的陶瓷/金屬復合結構的制造方法，其中，所述銅 片在被置于所述金屬界面層上以前，先進行多階段的預氧化處理。

7.一種陶瓷/金屬復合結構，其包括：

一下金屬層；

一下金屬界面層，位于所述下金屬層上；

一陶瓷基板，位于所述下金屬界面層上；

一上金屬界面層，位于所述陶瓷基板上；

一上金屬層，位于所述上金屬界面層上；

所述下金屬界面層和上金屬界面層的材料為鎳磷合金或鎳硼合金；

所述下金屬層和所述上金屬層的金屬為銅；

通過加熱使所述上金屬界面層同時與所述陶瓷基板及所述上金屬層接 合形成強鍵結，并使所述下金屬界面層同時與所述陶瓷基板及所述下金屬 層接合形成強鍵結。

8.如權利要求7所述的陶瓷/金屬復合結構，其中，所述上金屬層上具 有一線路或接點。

9.如權利要求7所述的陶瓷/金屬復合結構，其中，所述陶瓷基板的材 料包括氧化鋁、氧化硅、氮化鋁、氮化硅、碳化硅、玻璃和玻璃陶瓷中的 一種或一種以上的組合。

10.如權利要求7所述的陶瓷/金屬復合結構，其中，該復合結構具有 至少一缺口，該缺口沿上金屬層至少延伸到上金屬界面層上。

11.如權利要求10所述的陶瓷/金屬復合結構，其還包括：

電子元件，其位于所述缺口中。

12.如權利要求11所述的陶瓷/金屬復合結構，其中，所述缺口沿上金 屬層延伸到陶瓷基板上，該缺口內的陶瓷基板上設有導熱膠，所述電子元 件設于該導熱膠上。

13.如權利要求11所述的陶瓷/金屬復合結構，其中，所述缺口沿上金 屬層延伸到上金屬界面層上，該缺口內的上金屬界面層上設有導熱膠，所 述電子元件設于該導熱膠上。

14.如權利要求11所述的陶瓷/金屬復合結構，其還包括：

多條導線，其連接所述電子元件至所述上金屬層。

15.如權利要求11所述的陶瓷/金屬復合結構，其中，缺口周邊處的上 金屬層形成斜面或曲面。