[發明專利]一種摻雜PbSe量子點的光纖及其光纖放大器

無效

• 申請號: 200710164563.4
• 申請日: 2007-12-07
• 公開（公告）號: CN101206281A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 程成
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02F1/39;G02B6/42
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司
• 代理人: 黃美娟;袁木棋

1.一種摻雜PbSe量子點的光纖，所述光纖包括纖芯和包層，其特征在于所述的纖芯采用半導體納米晶體PbSe量子點作為摻雜物，所述PbSe量子點總濃度為1×10¹⁹～1×10²³米^-3，其特征在于所述的摻雜物為2～7種粒徑梯度差值在0.5～1.2nm之間的量子點，所述的量子點的粒徑為3nm～9nm。

2.權利要求1所述摻雜PbSe量子點的光纖，其特征在于所述PbSe量子點各粒度濃度相同且空間均勻摻雜。

3.權利要求2所述摻雜PbSe量子點的光纖，其特征在于所述摻雜物為5～7種粒徑梯度差值為1nmPbSe量子點。

4.一種如權利要求1所述的摻雜PbSe量子點的光纖放大器，所述的放大器包括泵浦光源、輸入光纖耦合器、摻雜PbSe量子點的光纖、輸出光纖耦合器，其特征在于摻雜PbSe量子點的光纖的纖芯采用PbSe量子點作為摻雜物，所述PbSe量子點總濃度為1×10¹⁹～1×10²³米^-3，所述的摻雜物為2～7種粒徑梯度差值在0.5～1.2nm之間的量子點，所述的量子點的粒徑為3nm～9nm。

5.權利要求4所述PbSe量子點的光纖放大器，其特征在于所述PbSe量子點各粒徑的量子點濃度相同，且空間均勻摻雜。

6.權利要求4所述摻雜PbSe量子點光纖的放大器，其特征在于所述PbSe量子點光纖長度為0.1～2m。

7.權利要求4所述PbSe量子點光纖的放大器，其特征在于所述放大器與PbSe量子點光纖的接插為外接式。

8.權利要求4所述PbSe量子點光纖放的大器，其特征在于所述泵浦光源的波長為980±5nm、1480±5nm之一或兩種。

9.權利要求4所述多粒度摻雜PbSe量子點光纖放大器，其特征在于所述泵浦光源的功率為50mw～500mw。

10.權利要求4所述PbSe量子點光纖放大器，其特征在于所述所述的放大器包括包括泵浦光源、輸入光纖耦合器、摻雜PbSe量子點的光纖、輸出光纖耦合器，所述的泵浦光源波長為980±5nm或1480±5nm，泵浦功率為50mw～500mw；所述的PbSe量子點的光纖的纖芯以二氧化硅為背景材料，所述的纖芯采用PbSe量子點作為摻雜物，所述PbSe量子點總濃度為1×10¹⁹～1×10²³米^-3，所述的摻雜物為2～7種粒徑梯度差值為1nm的量子點，所述的量子點的粒徑為3nm～9nm，光纖長度為0.1～2m，各粒徑的PbSe量子點濃度相相同，且空間均勻摻雜，所述的放大器與PbSe量子點光纖的接插為外接式。