[發(fā)明專利]雙柵極半導(dǎo)體的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710163876.8
• 申請(qǐng)日: 2007-10-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101246852A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉震南;梁孟松;陳嘉仁;邱遠(yuǎn)鴻
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1、一種雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

形成一不對(duì)稱柵極堆疊，其具有一第一部分及一第二部分，該第一部分包括一金屬層；

蝕刻一第二柵極結(jié)構(gòu)于該第二部分，并部分地蝕刻該第一部分以形成一第一柵極結(jié)構(gòu)，其中第一柵極結(jié)構(gòu)的部分地蝕刻并未移除該金屬層；

形成一介電層于各該柵極結(jié)構(gòu)的至少一部分上；

蝕刻凹部作為一源極及一漏極區(qū)域鄰接于該第二柵極結(jié)構(gòu)，并同時(shí)部分地移除構(gòu)成該第一柵極結(jié)構(gòu)部分以外的金屬層；以及

形成一源極于該源極區(qū)域的凹部及一漏極于該漏極區(qū)域的凹部。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述的不對(duì)稱柵極堆疊的第一部分更包括一設(shè)置于該金屬層下方的第一介電層。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述的第一介電層是使用一高介電常數(shù)材料所形成，具有大于二氧化硅的介電常數(shù)。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于還包括移除構(gòu)成該第一柵極結(jié)構(gòu)以外的高介電常數(shù)材料層部分。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述的雙柵極半導(dǎo)體元件為一互補(bǔ)型金氧半導(dǎo)體元件。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述的源極區(qū)域、漏極區(qū)域與該第二柵極結(jié)構(gòu)構(gòu)成一P型金氧半導(dǎo)體元件或一N型金氧半導(dǎo)體元件。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于其中形成該源極區(qū)域及該漏極區(qū)域的方法更包括在該凹部中磊晶成長(zhǎng)一應(yīng)變硅。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于所述的源極區(qū)域及漏極區(qū)域更包括于該凹部中填充鍺化硅或碳化硅。

9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于其中蝕刻該柵極結(jié)構(gòu)是使用溴化氫及碳氟化合物等離子。

10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙柵極半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于使用一等離子蝕刻凹部以形成源極區(qū)域及漏極區(qū)域，并移除不屬于柵極的金屬層，其中該等離子包括六氟化硫或氯。