[發(fā)明專利]一種包括微弧氧化膜的鋁合金及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710163693.6 | 申請(qǐng)日： | 2007-10-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101413139A | 公開（公告）日： | 2009-04-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王鑫;林軍;林宏業(yè);宮清 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C25D11/04 | 分類號(hào)： | C25D11/04 |
| 代理公司： | 北京潤平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 王鳳桐;董占敏 |
| 地址： | 518119廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 包括 氧化 鋁合金 及其 制備 方法 | ||
1.一種包括微弧氧化膜的鋁合金，所述鋁合金包括鋁合金基體和鋁合金基體表面的微弧氧化膜，其特征在于，所述鋁合金還包括封孔物，所述封孔物位于所述微弧氧化膜上的微孔內(nèi)和/或位于所述微弧氧化膜的表面，所述封孔物由封孔劑形成，所述封孔劑為格林陶瓷防污劑，所述格林陶瓷防污劑含有有機(jī)硅烷和硅氧烷在石油溶劑中的混合溶液，以格林陶瓷防污劑的總重量為基準(zhǔn)，所述有機(jī)硅烷和硅氧烷的總含量為0.2-10重量％，所述石油溶劑的含量為80-99重量％，其中有機(jī)硅烷與硅氧烷的重量比為1∶0.01-100。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金，其中，單位面積所述微弧氧化膜上封孔物的重量為0.001-1克/cm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金，其中，所述微弧氧化膜上至少90％的微孔數(shù)量被封孔物覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金，其中，在所述格林陶瓷防污劑中，有機(jī)硅烷與硅氧烷的重量比為1∶0.1-10。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金，其中，微弧氧化膜的厚度為2-300微米。
6.一種權(quán)利要求1所述的包括微弧氧化膜的鋁合金的制備方法，該方法包括在鋁合金的表面上形成微弧氧化膜，其特征在于，該方法還包括在所述微弧氧化膜上的微孔中和/或表面上形成封孔物，所述封孔物的形成方法包括，在所述微弧氧化膜上涂覆封孔劑，然后干燥，使所述微弧氧化膜上至少90％的微孔數(shù)量被封孔物覆蓋；所述封孔劑為格林陶瓷防污劑，所述格林陶瓷防污劑含有有機(jī)硅烷和硅氧烷在石油溶劑中的混合溶液，以格林陶瓷防污劑的總重量為基準(zhǔn)，所述有機(jī)硅烷和硅氧烷的總含量為0.2-10重量％，所述石油溶劑的含量為80-99重量％，其中有機(jī)硅烷與硅氧烷的重量比為1∶0.01-100。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其中，所述在鋁合金的表面上附著微弧氧化膜的方法包括，將鋁合金置于盛有電解質(zhì)溶液的電解槽中，以鋁合金為陽極，電解槽作為陰極，微弧氧化的條件使鋁合金表面形成厚為2-300微米的微弧氧化膜；所述微弧氧化的條件包括電流密度為0.5-10A/dm2，電壓為400-600伏，電解質(zhì)溶液的溫度為15-60℃，微弧氧化的時(shí)間為2-60分鐘。
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