[發明專利]傳感光電二極管上方具有曲面微鏡的圖像傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 200710163496.4
• 申請日: 2007-10-25
• 公開（公告）號: CN101188208A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 文森特·韋內齊亞;泰新吉
• 申請（專利權）人: 全視科技有限公司
• 主分類號: H01L21/71
• 分類號: H01L21/71;H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種方法，其包括：

制作圖像傳感器直到但不包含第一金屬化層；

在金屬前介電層上制作微透鏡；

在所述微透鏡和金屬前介電層上沉積反射材料金屬層；

用光致抗蝕劑覆蓋所述金屬層；

對所述光致抗蝕劑進行圖案化以從除所述微透鏡的表面以外的所有區域處去除所述光致抗蝕劑；

蝕刻掉暴露的金屬層；

去除剩余的光致抗蝕劑；以及

用介電材料層覆蓋所述微鏡。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述圖像傳感器是CMOS圖像傳感器。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述圖像傳感器是背側照明圖像傳感器。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬前介電層可達800納米厚。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述反射材料層是金屬。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述反射材料層的厚度在10與50納米之間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述微透鏡是曲面的。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述微透鏡是凹面的。

9.一種制作圖像傳感器的微鏡的方法，所述方法包括：

制作圖像傳感器直到但不包含第一金屬化層；

在第一金屬前介電層上制作微透鏡，其中所述第一金屬前介電層是PMD層的某一部分；

在所述微透鏡和所述PMD層的第一部分上沉積反射材料層；

用光致抗蝕劑覆蓋所述反射材料層；

對所述光致抗蝕劑進行圖案化以從除所述微透鏡的表面以外的所有區域處去除所述光致抗蝕劑；

蝕刻掉暴露的金屬；

去除剩余的光致抗蝕劑；以及

在所述微透鏡上方沉積第二金屬前介電層，其中所述第二金屬前介電層是所述PMD的剩余部分。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述PMD層被平面化。

11.一種制作圖像傳感器的微鏡的方法，所述方法包括：

制作圖像傳感器直到但不包含第一金屬化層；

在所述圖像傳感器的硅表面上制作微透鏡；

在所述微透鏡和硅表面上沉積反射材料金屬層；

在所述圖像傳感器上方沉積反射材料層；

用光致抗蝕劑覆蓋所述圖像傳感器；

對所述光致抗蝕劑進行圖案化以從除所述微透鏡以外的所有區域處去除所述光致抗蝕劑；

蝕刻掉暴露的反射層；

去除剩余的光致抗蝕劑；以及

用介電材料層覆蓋所述微鏡。

12.一種包括具有微鏡的圖像傳感器的設備，所述圖像傳感器進一步包括：

金屬前介電層；

微透鏡，其耦合到所述金屬前介電層；

金屬層，其耦合到所述微透鏡且形成微鏡；以及

介電材料層，其覆蓋所述微鏡。

13.根據權利要求12所述的設備，其進一步包括處于所述金屬前介電層上方的曲面微鏡。

14.根據權利要求12所述的設備，其進一步包括處于所述金屬前介電層內的曲面微鏡。

15.一種包括具有微鏡的圖像傳感器的設備，所述圖像傳感器進一步包括：

背側照明裝置；

金屬前介電層；

微透鏡，其耦合到所述金屬前介電層；

金屬層，其耦合到所述微透鏡且形成微鏡；以及

介電材料層，其覆蓋所述微鏡。

16.根據權利要求15所述的設備，其進一步包括處于所述金屬前介電層上方的曲面微鏡。

17.根據權利要求15所述的設備，其進一步包括處于所述金屬前介電層內的曲面微鏡。

18.一種包括具有微鏡的圖像傳感器的設備，所述圖像傳感器進一步包括：背側照明裝置；

微透鏡，其耦合到所述背側照明裝置的表面；

金屬層，其耦合到所述微透鏡且形成微鏡；以及

介電材料層，其覆蓋所述微鏡。

19.根據權利要求18所述的設備，其進一步包括曲面微透鏡。

20.根據權利要求18所述的設備，其進一步包括凹面微透鏡。