[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710163385.3
• 申請日: 2007-10-19
• 公開（公告）號: CN101170073A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長谷部昭男;本山康博;成塚康則;中村清吾
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/82;G01R1/073;G01R31/26
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 劉國偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路裝置的制造技術(shù)，尤其涉及有效適用于半導(dǎo)體集成電路的電性檢測的技術(shù)，所述半導(dǎo)體集成電路的電性檢測是將探針卡的探針抵住半導(dǎo)體集成電路裝置的電極焊點而進行的。

背景技術(shù)

在日本專利特開2005-24377號公報(專利文獻1)及日本專利特開2004-144742號公報(專利文獻2)中公開了如下結(jié)構(gòu)：在具有利用半導(dǎo)體集成電路裝置的制造技術(shù)而形成的探針、絕緣薄膜及引出用布線、按壓楔、彈簧探針的探測器中，在按壓楔上表面的中央部設(shè)置著與彈簧探針的突起部扣合的圓錐槽。

日本專利特開2006-118945號公報(專利文獻3)中公開了如下結(jié)構(gòu)：在具有利用半導(dǎo)體集成電路裝置的制造技術(shù)而形成的接觸端子、絕緣薄膜及引出用布線的探測器中，使接觸端子之間具有間隙，以此增加接觸端子的高度。

在日本專利特開平7-283280號公報(專利文獻4)、日本專利特開平8-50146號公報(專利文獻5(對應(yīng)PCT國際公開WO95-34000))、日本專利特開平8-201427號公報(專利文獻6)、日本專利特開平10-308423號公報(專利文獻7)、日本專利特開平11-23615號公報(專利文獻8(對應(yīng)美國專利公報USP6,305,230))、日本專利特開平11-97471號公報(專利文獻9(對應(yīng)歐洲專利公報EP1022775))、日本專利特開2000-150594號公報(專利文獻10(對應(yīng)歐洲專利公報EP0999451))、日本專利特開2001-159643號公報(專利文獻11)，日本專利特開2004-144742號公報(專利文獻2)、日本專利特開2004-132699號公報(專利文獻12)、日本專利特開2004-288672號公報(專利文獻13)、日本專利特開2005-24377號公報(專利文獻1)、日本專利特開2005-136302號公報(專利文獻14)、及日本專利特開2005-136246號公報(專利文獻15)中公開了：具有利用半導(dǎo)體集成電路裝置的制造技術(shù)而形成的探針(接觸端子)、絕緣薄膜及引出用布線的探測器的結(jié)構(gòu)；此探測器的制造方法；以及即使對于測試焊點的間距狹窄的芯片，也可以通過使用所述探測器來實施探針檢測的技術(shù)。

【專利文獻1】

日本專利特開2005-24377號公報

【專利文獻2】

日本專利特開2004-144742號公報

【專利文獻3】

日本專利特開2006-118945號公報

【專利文獻4】

日本專利特開平7-283280號公報

【專利文獻5】

日本專利特開平8-50146號公報

【專利文獻6】

日本專利特開平8-201427號公報

【專利文獻7】

日本專利特開平10-308423號公報

【專利文獻8】

日本專利特開平11-23615號公報

【專利文獻9】

日本專利特開平11-97471號公報

【專利文獻10】

日本專利特開2000-150594號公報

【專利文獻11】

日本專利特開2001-159643號公報

【專利文獻12】

日本專利特開2004-132699號公報

【專利文獻13】

日本專利特開2004-288672號公報

【專利文獻14】

日本專利特開2005-136302號公報

【專利文獻15】

日本專利特開2005-136246號公報

發(fā)明內(nèi)容

半導(dǎo)體集成電路裝置的檢測技術(shù)中有探針檢測。此探針檢測包括確認(rèn)是否發(fā)揮特定功能的功能測試、以及進行DC(Direct?current，直流)運行特性及AC(Alternating?Current，交流)運行特性的測試以判別合格品/次品的測試等。在探針檢測中，根據(jù)對應(yīng)晶圓出貨(品質(zhì)區(qū)分)、對應(yīng)KGD(Known?Good?Die，已知合格芯片)(提高MCP(Multi-ChipPackage，多芯片封裝)的合格率)、及降低總成本等要求，使用在晶圓狀態(tài)下進行探針檢測的技術(shù)。