[發(fā)明專利]全序列金屬和阻擋層電化學機械處理

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710163291.6
• 申請日: 2005-08-18
• 公開（公告）號: CN101172310A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設計）人: 毛大新;賈仁合;王志弘;田園;劉鳳Q;弗拉蒂米爾·加爾伯特;柯圣豪;斯坦·D·蔡;陳良毓;胡永其
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: B23H5/08
• 分類號: B23H5/08;B23H5/12;C25F5/00;C25F7/00;H01L21/321
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種用于電處理基板的方法，包含：

以小于約2磅/平方英寸的力推壓基板使其抵靠著處理墊組件，并且在所述基板和與之相接觸的墊組件之間提供運動；

在經(jīng)由電解液的所述處理墊的第一電極和在所述基板上暴露的阻擋材料層之間建立到所述處理墊的第二電極的導電路徑；以及

在阻擋層處理工作站中的第一電化學處理步驟期間，以電化學方式去除所述暴露層的一部分。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一電化學處理步驟進一步包含：

在所述暴露的阻擋材料層被貫穿時，或之前，檢測所述第一電化學處理步驟的終點；

在所述阻擋層處理工作站中的第二電化學處理步驟中，電化學處理所述暴露的阻擋材料層；以及

檢測所述第二電化學處理步驟的終點。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建立導電路徑的步驟進一步包含：

使電解液由所述第二電極下方流經(jīng)所述處理墊組件而與所述基板接觸。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二電化學處理步驟進一步包含：

檢測第一終點；

以較慢速率電處理所述基板；以及

檢測表示殘留阻擋材料已從所述基板清除的第二終點。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，檢測所述第一終點的所述步驟進一步包含：

檢測流經(jīng)所述基板與所述電極之間的電流的第一中斷。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，檢測所述第二終點的所述步驟進一步包含：

檢測流經(jīng)所述基板與所述電極之間的電流的第二中斷。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電解液進一步包含催化劑和以下至少其中之一：硫酸、磷酸、胺基酸、有機胺、鄰苯二甲酸、有機石碳酸或砒碇甲酸或其衍生物。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包含：

在所述處理系統(tǒng)內，以電化學方式去除設置在所述阻擋層上方的導電層。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻擋材料為以下至少其中之一：釕、鈦、鈦氮化物、鉭及鉭氮化物。

10.一種電化學處理基板的方法，該基板具有暴露的導電層及位于該導電層下的阻擋層，該方法包含：

在具有第一和第二電極的處理墊組件上設置所述基板；

在所述第一和第二電極之間建立導電路徑，所述導電路徑通過電解液和所述基板上導電材料的暴露層限定，所述第一電極接觸所述導電材料，而所述第二層與所述導電材料隔開；

在所述處理墊組件和與之相接觸的所述基板之間提供拋光運動；

在第一電化學處理步驟期間以電化學方式去除所述暴露層的一部分；

恰在所述暴露的導電材料層被貫穿時，或之前，檢測所述第一電化學處理步驟的終點；

在第二電化學處理步驟中電化學處理所述導電材料的暴露層；

檢測所述第二電化學處理步驟的終點；

通過電解液和所述阻擋層在所述第一和第二電極之間建立導電路徑；

在第一電化學阻擋層處理步驟期間以電化學方式去除所述阻擋層的一部分；

恰在所述阻擋材料層被貫穿時，或之前，檢測所述第一電化學阻擋層處理步驟的終點；

在第二電化學阻擋層處理步驟中電化學處理所述阻擋材料；以及

檢測所述第二電化學處理步驟的終點。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，所述檢測所述阻擋層和導電材料處理步驟的至少兩個終點的步驟進一步包含：

檢測在所述基板和所述第二電極之間的電勢差的中斷。

12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，所述檢測阻擋層和導電材料處理步驟的至少兩個終點的步驟進一步包含：

檢測在所述基板和所述第二電極之間所測量的電流的中斷。

13.根據(jù)權利要求10所述的方法，其特征在于，進一步包含：

由電流中的變化確定所述導電材料的殘留厚度。