[發(fā)明專(zhuān)利]結(jié)晶裝置以及結(jié)晶方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710163150.4 | 申請(qǐng)日: | 2007-10-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101312117A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秋田典孝;高見(jiàn)芳夫 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社島津制作所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;B23K26/00;B23K26/06 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 日本京都府京都*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 結(jié)晶 裝置 以及 方法 | ||
1.一種結(jié)晶裝置,其特征在于包括:
紫外光照射系統(tǒng),將紫外光區(qū)的激光束脈沖照射到被處理基板上;以及
可見(jiàn)光照射系統(tǒng),對(duì)被處理基板上的與所述紫外光區(qū)的激光束的照射區(qū)域相同的照射區(qū)域,連續(xù)照射可見(jiàn)光激光束;并且,
所述可見(jiàn)光照射系統(tǒng)具有二維陣列排列的多個(gè)可見(jiàn)光激光束源,
在因均勻照射所述紫外光區(qū)的激光束而熔化的區(qū)域中,利用可見(jiàn)光激光束的光強(qiáng)度分布來(lái)形成晶體成長(zhǎng),所述可見(jiàn)光激光束的光強(qiáng)度分布是重疊從所述多個(gè)可見(jiàn)光激光束源發(fā)出的多道可見(jiàn)光激光束而形成的。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)晶裝置,其特征在于:
所述紫外光照射系統(tǒng)包括準(zhǔn)分子激光束源、以及紫外光照明光學(xué)系統(tǒng),此紫外光照明光學(xué)系統(tǒng)將從所述準(zhǔn)分子激光束源發(fā)出的準(zhǔn)分子激光束均勻地照射到基板上,
所述可見(jiàn)光激光束源是固體激光器或半導(dǎo)體激光器,
所述可見(jiàn)光照射系統(tǒng)包括光強(qiáng)度分布形成裝置、以及成像光學(xué)系統(tǒng),所述光強(qiáng)度分布形成裝置使從所述各可見(jiàn)光激光束源發(fā)出的多道可見(jiàn)光激光束的光強(qiáng)度分布圖案化,所述成像光學(xué)系統(tǒng)使經(jīng)所述光強(qiáng)度分布形成裝置圖案化的光強(qiáng)度分布的光,成像在被處理基板上的所述照射區(qū)域中,并且,
將所述多個(gè)固體激光器或半導(dǎo)體激光器發(fā)出的各可見(jiàn)激光束,重疊到符合所述被處理基板與光軸上的成像位置關(guān)系的光強(qiáng)度分布形成裝置中。
3.如權(quán)利要求2所述的結(jié)晶裝置,其特征在于:
在所述可見(jiàn)光照射系統(tǒng)中,在多個(gè)可見(jiàn)光激光束源與光強(qiáng)度分布形成裝置之間具備均束器。
4.如權(quán)利要求3所述的結(jié)晶裝置,其特征在于:
所述均束器具備多個(gè)透鏡,所述多個(gè)透鏡與多個(gè)可見(jiàn)光激光束源一一對(duì)應(yīng)。
5.一種結(jié)晶方法,其特征在于:
對(duì)被處理基板上的非晶硅膜均勻地脈沖照射紫外光區(qū)的激光束,使所述非晶硅膜熔化,
將從多個(gè)可見(jiàn)光激光束源發(fā)出的多道可見(jiàn)光激光束重疊到光強(qiáng)度分布形成裝置中,
借由所述光強(qiáng)度分布形成裝置來(lái)使重疊的可見(jiàn)光激光束的光強(qiáng)度分布圖案化,
將所述經(jīng)圖案化的可見(jiàn)光激光束重疊地照射到所述熔化的液化硅區(qū)域上,由此形成晶體成長(zhǎng)。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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