[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 200710163077.0
• 申請日: 2007-09-29
• 公開（公告）號: CN101159306A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 高橋健;今野泰一郎;新井優洋
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 鐘晶

1.一種發光二極管，其特征是：

該發光二極管具有：

第1導電型的GaAs基板；

由從第1導電型的Al_x0Ga_1-x0As中選出的至少2種Al組成不同的材料構成的布喇格反射層；

由第1導電型的(Al_x1Ga_1-x1)_y1In_1-y1P構成的下部包覆層；

由(Al_x2Ga_1-x2)_y2In_1-y2P構成的多重量子阱結構的發光層；

由第2導電型的(Al_x3Ga_1-x3)_y3In_1-y3P構成的上部包覆層；

含有第2導電型的GaP層的電流擴散層，

其中，所述下部包覆層、所述發光層以及所述上部包覆層各層所含的氫的濃度為2×10¹⁷cm^-3以下、碳的濃度為2×10¹⁶cm^-3以下、氧的濃度為2×10¹⁶cm^-3以下，

所述電流擴散層的部分或全部區域中的氫的濃度為5×10¹⁷cm^-3以下、碳的濃度為5×10¹⁷cm^-3以下、氧的濃度為2×10¹⁶cm^-3以下，

其中，0≤x0≤1，0≤x1≤1，0.4≤y1≤0.6，0≤x2≤1，0.4≤y2≤0.6，0≤x3≤1，0.4≤y3≤0.6。

2.一種發光二極管，其特征是：

該發光二極管具有：

第1導電型的GaAs基板；

由從第1導電型的(Al_x4Ga_1-x4)_y4In_1-y4P中選出的至少2種Al組成不同的材料構成的布喇格反射層；

由第1導電型的(Al_x1Ga_1-x1)_y1In_1-y1P構成的下部包覆層；

由(Al_x2Ga_1-x2)_y2In_1-y2P構成的多重量子阱結構的發光層；

由第2導電型的(Al_x3Ga_1-x3)_y3In_1-y3P構成的上部包覆層；

含有第2導電型的GaP層的電流擴散層，

其中，所述下部包覆層、所述發光層以及所述上部包覆層各層所含的氫的濃度為2×10¹⁷cm^-3以下、碳的濃度為2×10¹⁶cm^-3以下、氧的濃度為2×10¹⁶cm^-3以下，

所述電流擴散層的部分或全部區域中的氫的濃度為5×10¹⁷cm^-3以下、碳的濃度為5×10¹⁷cm^-3以下、氧的濃度為2×10¹⁶cm^-3以下，

其中，0≤x4≤1，0.4≤y4≤0.6，0≤x1≤1，0.4≤y1≤0.6，0≤x2≤1，0.4≤y2≤0.6，0≤x3≤1，0.4≤y3≤0.6。