[發明專利]具有開關元件和兩個二極管的半導體裝置

無效

• 申請號: 200710162904.4
• 申請日: 2007-09-27
• 公開（公告）號: CN101236964A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 廣田慶彥;田所千廣
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/488;H01L27/08;H02M1/00;H03K17/08
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 王岳;劉宗杰

1.一種半導體裝置，其特征在于，

具有開關元件、第1二極管、第2二極管，

所述開關元件的集電極與所述第1二極管的陰極電連接，或者所述開關元件的發射極與所述第1二極管的陽極電連接，

所述開關元件的集電極與所述第2二極管的陰極電連接，并且所述開關元件的發射極與所述第2二極管的陽極電連接，

所述第1二極管與所述第2二極管形成在同一襯底上。

2.如權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述第1二極管在所述襯底內具有第1陽極區域與第1陰極區域，并且，所述第2二極管在所述襯底內具有第2陽極區域與第2陰極區域，并且，所述第1以及第2陰極區域由一個雜質區域形成。

3.如權利要求2的半導體裝置，其特征在于，

所述第1以及第2陽極區域彼此分離，并且，都形成在所述襯底的一個主面的所述一個雜質區域內。

4.如權利要求3的半導體裝置，其特征在于，

所述第1陽極區域與所述第2陽極區域僅隔開所述一個雜質區域而鄰接。

5.如權利要求3的半導體裝置，其特征在于，

還具有其他雜質區域，形成在所述第1陽極區域與所述第2陽極區域之間的所述一個雜質區域內，并且，具有與所述一個雜質區域不同的導電類型。

6.如權利要求3的半導體裝置，其特征在于，

還具有絕緣層，形成在所述第1陽極區域與所述第2陽極區域之間的所述一個雜質區域內。

7.如權利要求2的半導體裝置，其特征在于，

所述第2陽極區域形成在所述襯底的一個主面上，并且，所述第1陽極區域形成在所述襯底的另一主面上。

8.如權利要求7的半導體裝置，其特征在于，

還具有：陰極電極，以與所述一個雜質區域接觸的方式形成在所述襯底的一個主面上；第1陽極電極，以與所述第1陽極區域接觸的方式形成在所述襯底的另一主面上；第2陽極電極，以與所述第2陽極區域接觸的方式形成在所述襯底的一個主面上，

從所述第1陽極電極朝向所述陰極電極的電流路徑、和從所述第2陽極區域朝向所述陰極電極的電流路徑被電分離。

9.如權利要求1的半導體裝置，其特征在于，

所述第1二極管在所述襯底內具有第1陽極區域和第1陰極區域，并且，所述第2二極管在所述襯底內具有第2陽極區域和第2陰極區域，并且，由一個雜質區域形成所述第1以及第2陽極區域。

10.如權利要求9的半導體裝置，其特征在于，

所述第1以及第2陰極區域彼此分離，并且，都形成在所述襯底的一個主面的所述一個雜質區域內。

11.如權利要求10的半導體裝置，其特征在于，

所述第1陰極區域與所述第2陰極區域僅隔開所述一個雜質區域而鄰接。

12.如權利要求10的半導體裝置，其特征在于，

還具有其他雜質區域，形成在所述第1陰極區域與所述第2陰極區域之間的所述一個雜質區域內，并且，具有與所述一個雜質區域不同的導電類型。

13.如權利要求10的半導體裝置，其特征在于，

還具有絕緣層，形成在所述第1陰極區域與所述第2陰極區域之間的所述一個雜質區域內。

14.如權利要求9的半導體裝置，其特征在于，

所述第2陰極區域形成在所述襯底的一個主面上，并且，所述第1陰極區域形成在所述襯底的另一主面上。

15.如權利要求14的半導體裝置，其特征在于，

還具有：陽極電極，以與所述一個雜質區域接觸的方式形成在所述襯底的一個主面上；第1陰極電極，以與所述第1陰極區域接觸的方式形成在所述襯底的另一主面上；第2陰極電極，以與所述第2陰極區域接觸的方式形成在所述襯底的一個主面上，

從所述陽極電極朝向所述第1陰極電極的電流路徑、和從所述陽極電極朝向所述第2陰極電極的電流路徑被電分離。