[發(fā)明專利]功率金屬氧化物硅場效應晶體管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710162860.5
• 申請日: 2007-10-16
• 公開（公告）號: CN101165899A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發(fā)明（設計）人: 秋庚兌;沈揆光;金鐘玟
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/528;H01L29/78;H01L29/41
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種裝置，包括：

半導體襯底；

設置在所述半導體襯底之上的多個柵極；

在所述半導體襯底之上和相鄰所述多個柵極處組成陣列的多個基區(qū)；以及

圍繞并延伸在相鄰基區(qū)之間的多個源極間連接圖案，用于向所述多個柵極提供電流，其中所述源極間連接圖案具有延伸至所述多個柵極的接觸區(qū)域的預定幾何圖案。

2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述源極間連接圖案每個包括非線性圖案。

3.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，在相鄰的基區(qū)之間延伸的每個非線性圖案的一部分包括：

從第一基區(qū)延伸的第一延伸部分；

沿朝多個柵極其中之一的接觸區(qū)域的方向從所述第一延伸部分基本垂直延伸的第二延伸部分；

沿朝第二基區(qū)方向從所述第二延伸部分基本垂直延伸的第三延伸部分；

沿朝所述多個柵極其中之一的接觸區(qū)域方向從所述第三延伸部分基本垂直延伸的第四延伸部分；

從所述第四延伸部分基本垂直延伸并與所述第二基區(qū)部分接觸的第五延伸部分。

4.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其特征在于，每個互連圖案包括多個彎曲部分。

5.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述多個彎曲部分其中之一每個是削角。

6.根據(jù)權利要求5所述的裝置，其特征在于，每個削角成約45度角度傾斜。

7.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其特征在于，圍繞所述基區(qū)的所述源極間連接圖案的一部分具有基本三角形形狀。

8.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其特征在于，圍繞所述基區(qū)的所述源極間連接圖案的一部分具有基本矩形形狀。

9.根據(jù)權利要求3所述的裝置，其特征在于，圍繞所述基區(qū)的所述源極間連接圖案的一部分具有基本正弦形狀。

10.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，在相鄰基區(qū)之間延伸的所述源極間連接圖案包括在相鄰基區(qū)之間線性延伸的第一延伸部分和朝所述多個柵極方向從所述第一延伸部分基本垂直延伸的第二延伸部分。

11.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述第二延伸部分的每個末端具有基本矩形形狀。

12.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述第二延伸部分的每個末端具有基本三角形形狀。

13.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述第二延伸部分的每個末端是截錐形從而它們不形成直角。

14.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，在相鄰基區(qū)之間延伸的所述源極間連接圖案包括在相鄰基區(qū)之間線性延伸的第一線性延伸部分和朝所述多個柵極方向從所述第一延伸部分基本垂直延伸的至少兩個平行延伸部分。

15.根據(jù)權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述至少兩個平行延伸部分的每個末端具有基本矩形形狀。

16.根據(jù)權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述至少兩個平行延伸部分的每個末端具有基本三角形形狀。

17.根據(jù)權利要求14所述的裝置，其特征在于，所述至少兩個平行延伸部分的每個末端是截錐形從而它們不形成直角。

18.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述多個源極間連接圖案由n⁺型摻雜劑形成。

19.一種裝置包括：

半導體襯底；

設置在所述半導體襯底之上的多個柵極；

在所述半導體襯底之上和相鄰所述多個柵極處組成陣列的多個基區(qū)；以及

圍繞并延伸在相鄰基區(qū)之間的多個源極間連接圖案，用于向所述多個柵極提供電流，其中在相鄰基區(qū)之間延伸的所述源極間連接圖案的一部分包括相鄰基區(qū)之間線性延伸的第一線性延伸部分和朝所述多個柵極方向從所述第一延伸部分基本垂直延伸的至少兩個平行延伸部分。

20.一種裝置，包括：

半導體襯底；

設置在所述半導體襯底之上的多個柵極；

在所述半導體襯底之上和相鄰所述多個柵極處組成陣列的多個基區(qū)；以及

圍繞并延伸在相鄰基區(qū)之間的多個源極間連接圖案，用于向所述多個柵極提供電流，其中在相鄰基區(qū)之間延伸的所述源極間連接圖案一部分具有基本正弦形狀。