[發(fā)明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法以及存儲介質(zhì)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710162644.0 | 申請日： | 2007-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN101170053A | 公開（公告）日： | 2008-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 齊藤均;佐藤亮;佐佐木芳彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/67;C23F4/00;C23C16/509;C23C16/513;C23C16/54;G02F1/1333;H05H1/46;H |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 處理 裝置 方法 以及 存儲 介質(zhì) | ||
1.一種等離子體處理裝置，在處理容器的內(nèi)部具有至少一對平行平板電極、和能夠進(jìn)行驅(qū)動使得所述一對電極的間隔改變的至少一個驅(qū)動電極，從高頻電源使高頻電流通過處理容器返回到所述高頻電源的接地側(cè)，并且利用等離子體對基板進(jìn)行處理，其特征在于，包括：
一端與所述驅(qū)動電極電連接的驅(qū)動部件、或一端與所述驅(qū)動電極電絕緣的驅(qū)動部件；
使該驅(qū)動部件驅(qū)動的驅(qū)動單元；和
至少1個處理容器外接觸機(jī)構(gòu)，
所述處理容器外接觸機(jī)構(gòu)包括：
向處理容器外突出的與該驅(qū)動部件的另一端電導(dǎo)通的導(dǎo)電性的移動側(cè)接觸部件；和
以在該移動側(cè)接觸部件移動時與該移動側(cè)接觸部件接觸的方式設(shè)置、與處理容器外壁連結(jié)的導(dǎo)電性的固定側(cè)接觸部件，
在所述移動側(cè)接觸部件與固定側(cè)接觸部件接觸時，形成高頻電流的返回路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述處理容器外接觸機(jī)構(gòu)的移動側(cè)接觸部件與固定側(cè)接觸部件的接點(diǎn)，具有與至少1個以上的電極間隔對應(yīng)的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述處理容器外接觸機(jī)構(gòu)的移動側(cè)接觸部件與固定側(cè)接觸部件的接點(diǎn)，能夠改變?yōu)榕c任意的電極間隔對應(yīng)的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述驅(qū)動電極是與載置基板的載置臺相對的電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述驅(qū)動電極是載置基板的載置臺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述驅(qū)動電極是陽極電極，該陽極電極與所述驅(qū)動部件電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述驅(qū)動電極是陽極電極，所述陽極電極與所述驅(qū)動部件電絕緣，至少包括一個具有從所述陽極電極經(jīng)由阻抗調(diào)整部而連接的接點(diǎn)的所述處理容器外接觸機(jī)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
所述驅(qū)動電極是陰極電極，所述陰極電極與所述驅(qū)動部件電絕緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
在所述陰極電極與高頻電源之間配置有匹配電路，經(jīng)由所述處理容器外接觸機(jī)構(gòu)的固定側(cè)接觸部件與移動側(cè)接觸部件的接點(diǎn)以及所述移動側(cè)接觸部件的高頻的返回電流，返回到該匹配電路的框體。
10.一種等離子體處理方法，在處理容器的內(nèi)部具有至少一對平行平板電極、和能夠進(jìn)行驅(qū)動使得所述一對電極的間隔改變的至少一個驅(qū)動電極，從高頻電源使高頻電流通過處理容器返回到高頻電源的接地側(cè)，并且利用等離子體對基板進(jìn)行處理，其特征在于，包括：
利用一端與所述驅(qū)動電極電連接的驅(qū)動部件或一端與所述驅(qū)動電極電絕緣的驅(qū)動部件、和使該驅(qū)動部件驅(qū)動的驅(qū)動單元，使所述驅(qū)動電極驅(qū)動，擴(kuò)大所述電極間隔后，將基板搬入到所述處理容器的內(nèi)部的工序；
使所述驅(qū)動電極驅(qū)動，直到與所述驅(qū)動部件的另一端電導(dǎo)通的移動側(cè)接觸部件和與處理容器外壁連結(jié)的固定側(cè)接觸部件接觸的位置，對所述基板進(jìn)行等離子體處理的工序；和
再次使所述驅(qū)動電極驅(qū)動、將所述電極間隔擴(kuò)大后，將基板搬出到處理容器外部的工序。
11.一種存儲介質(zhì)，其特征在于：
在利用等離子體對基板進(jìn)行處理的等離子體處理裝置中使用，存儲有在計算機(jī)上運(yùn)行的計算機(jī)程序，
所述計算機(jī)程序以實(shí)施權(quán)利要求10所述的等離子體處理方法的方式將步驟組合。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
