[發(fā)明專利]等離子體生成裝置、等離子體控制方法和基板制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710162401.7
• 申請(qǐng)日: 2003-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN101128083A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三宅正司;江部明憲;莊司多津男;節(jié)原裕一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 獨(dú)立行政法人科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu);三宅正司;江部明憲
• 主分類號(hào): H05H1/46
• 分類號(hào): H05H1/46;H01L21/306;H01L21/205;C23C14/54
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 劉建

1.一種等離子體生成裝置，其特征在于：具備

a)真空容器；

b)設(shè)置在所述真空容器內(nèi)、裝載被處理基板的基板臺(tái)；和

c)在所述真空容器內(nèi)、大致平行地排列在所述基板臺(tái)上的多個(gè)高頻天線，其中，

在所述天線上連接阻抗元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

將所述天線排列在真空容器的側(cè)壁、或天井壁、或這兩者上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

將多個(gè)天線并聯(lián)連接于1個(gè)高頻電源上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

將1個(gè)天線連接于1個(gè)高頻電源上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

所述阻抗元件的阻抗是可變的。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

所述阻抗元件是可變阻抗線圈。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

具備：測(cè)定各個(gè)天線的電壓或電流的測(cè)定部、和利用該測(cè)定部得到的電壓或電流值來設(shè)定所述可變阻抗值的控制部。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

所述測(cè)定部具備配置在天線附近、檢測(cè)該天線電流的拾取線圈。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

所述測(cè)定部具備配置在天線附近、檢測(cè)施加于該天線上的電壓的電容器。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

所述測(cè)定部具備：將檢測(cè)到的高頻電流或電壓信號(hào)變換成直流電流或電壓信號(hào)的橋接電路或檢波器。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

所述測(cè)定部具備：合成天線的電流信號(hào)與電壓信號(hào)的信號(hào)合成器、和去除所述合成信號(hào)的高頻分量的低通濾波器。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

所述天線表面被絕緣體所覆蓋。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

所述天線在真空容器內(nèi)的形狀為平面形。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體生成裝置，其特征在于：

將所述多條天線各自分成由1個(gè)或多個(gè)天線構(gòu)成的多個(gè)組，就各個(gè)組而言，向各個(gè)天線并聯(lián)提供高頻功率。

15.一種等離子體控制方法，其特征在于，對(duì)于具備在真空容器內(nèi)、從真空容器的側(cè)壁或天井壁、或這兩者、大致平行于裝載被處理基板的基板臺(tái)排列的多個(gè)高頻天線的等離子體生成裝置，通過調(diào)整提供給所述天線的高頻功率，控制在真空容器內(nèi)形成的等離子體的狀態(tài)，在各個(gè)天線上連接阻抗元件，通過連接阻抗元件并調(diào)節(jié)各阻抗元件的阻抗值，控制該真空容器內(nèi)的等離子體密度分布。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體控制方法，其特征在于：

所述阻抗元件的阻抗值是可變的，測(cè)定各個(gè)高頻天線的電壓、電流或這兩者，利用得到的電壓、電流或它們的積值來控制該可變阻抗值。

17.一種基板制造方法，其特征在于：

通過權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的等離子體生成裝置或權(quán)利要求15或16所述的等離子體控制方法，生成原料的等離子體，并使該原料堆積。

18.一種基板制造方法，其特征在于：

使用通過權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的等離子體生成裝置或權(quán)利要求15或16所述的等離子體控制方法所生成的等離子體，實(shí)行蝕刻處理。