[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200710161982.2
• 申請日: 2007-09-27
• 公開（公告）號: CN101154647A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 淺井周二;日高匡睦;黑澤直人;及川洋一;丹羽隆樹
• 申請（專利權）人: 恩益禧電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;陸錦華

1.一種半導體裝置，包括：

形成到半導體襯底的第一表面的半導體器件；

提供在第一通孔中的阻擋膜，該第一通孔以凹狀形成到半導體襯底的第一表面；

第一通路線，連接至與阻擋膜接觸的半導體器件的電極；

第二通路線，形成在第二通孔內，與第一通路線電連接且阻擋膜介于其間，并且是形成于第二表面的布線的一部分，該第二通孔以凹狀形成于與半導體襯底的第一表面相對的第二表面，以到達阻擋膜，其中阻擋膜包括8族元素中的至少一種。

2.根據權利要求1的半導體裝置，其中半導體襯底是Si、GaAs、InP、GaN或SiC。

3.根據權利要求1的半導體裝置，其中該阻擋膜包括8族元素中的至少一種：鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)和鉑(Pt)。

4.根據權利要求1的半導體裝置，其中一個第一通路線與一個第二通路線連接。

5.根據權利要求1的半導體裝置，其中多個第一通路線與一個第二通路線連接。

6.根據權利要求1的半導體裝置，其中將第二通路線提供到形成到第一表面的半導體器件的下部。

7.根據權利要求1的半導體裝置，其中第二通路線被設置為相對于形成到第一表面的半導體器件的下部具有斜側壁。

8.根據權利要求1的半導體裝置，其中第一和第二通路線是金屬、金屬合金或具有擴散的導電顆粒的樹脂。

9.根據權利要求1的半導體裝置，其中形成到第二表面的布線形成到第二表面的整個表面。

10.根據權利要求1的半導體裝置，其中形成到第二表面的布線是分開設置的多個第二通路線。

11.根據權利要求1的半導體裝置，其中第一和第二通路線與半導體襯底連接，絕緣層介于它們之間。

12.根據權利要求1的半導體裝置，其中半導體器件是場效應晶體管或雙極晶體管。

13.根據權利要求1的半導體裝置，其中阻擋膜被形成為突出于第二通孔。

14.根據權利要求1的半導體裝置，其中阻擋膜是沿著第一通孔的側壁和底部的形狀形成的。

15.根據權利要求1的半導體裝置，其中第二通路線從第一通路線側起順序包括作為粘接膜的Ti層和作為導電膜的Au層。

16.一種半導體裝置的制造方法，包括：

通過蝕刻將第一通孔形成到半導體襯底的第一表面；

將包括至少一種8族元素的阻擋膜形成到第一通孔內部；

在阻擋膜上方形成第一通路線；

從半導體襯底的第二表面形成第二通孔以到達阻擋膜；和

在第二通孔內形成第二通路線。

17.根據權利要求16的方法，其中阻擋膜包括8族元素中的至少一種：鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)和鉑(Pt)。

18.根據權利要求16的方法，其中形成第一和第二通路線以便一個第一通路線與一個第二通路線接觸。

19.根據權利要求16的方法，其中形成第一和第二通路線以便多個第一通路線連接一個第二通路線。