[發明專利]有機薄膜晶體管以及控制高分子材料層表面能的方法

有效

• 申請號: 200710161979.0
• 申請日: 2007-09-27
• 公開（公告）號: CN101399316A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發明（設計）人: 楊豐瑜;徐美玉
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;C08L101/00;C08J7/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 封新琴;陳 桉

1.一種有機薄膜晶體管，包括：

柵極；

源極；

漏極；

有機半導體層，其連接該源極與該漏極；以及

介電層，其將該柵極與該有機半導體層分隔開來，其中該介電層系由組合物所組成，該組合物包括：

(a)高分子，其重復單位的結構如式(I)所示：

式(I)

其中每個X各自獨立地為H或C_1-54烷基；

R各自獨立地為H、烷基、乙酰氧基、叔丁基、β-甲氧基乙氧基甲基醚、甲氧基甲基醚、對甲氧基芐基醚、甲硫基甲基醚、新戊?；?、四氫吡喃或硅醚；

每個a各自獨立地為1至5的整數；

y和z為摩爾比，且y+z＝1，0≤y≤1，0≤z≤1；

(b)交聯劑；以及

(c)酸產生劑。

2.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中該硅醚包括三甲基甲硅烷基醚、叔丁基二甲基甲硅烷基醚或三異丙基甲硅烷基醚。

3.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中該高分子的該R為乙酰氧基；該X為H；該a為1；該y或z為0。

4.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中該酸產生劑包括熱酸產生劑或光酸產生劑。

5.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中該柵極與該介電層設置于該源極、該漏極和該有機半導體層下方，且該有機半導體層覆蓋于該源極和該漏極之上，構成下柵極下接觸式元件。

6.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中該柵極與該介電層設置于該源極、該漏極和該有機半導體層下方，且該有機半導體層設置于該源極、該漏極與該介電層之間，構成下柵極上接觸式元件。

7.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中該柵極與該介電層設置于該源極、該漏極和該有機半導體層上方，且該介電層設置于該柵極與該有機半導體層之間，構成上柵極下接觸式元件。

8.一種控制高分子材料層表面能的方法，包括：

將高分子組合物涂布于基底上；

使該高分子組合物在一定反應溫度及一定反應時間進行交聯反應，以形成高分子材料層，

其中該高分子組合物包括：

(a)高分子，其重復單位的結構如式(I)所示：

式(I)

其中每個X各自獨立地為H或C_1-54烷基；

R各自獨立地為H、烷基、乙酰氧基、叔丁基、β-甲氧基乙氧基甲基醚、甲氧基甲基醚、對甲氧基芐基醚、甲硫基甲基醚、新戊?；⑺臍溥拎蚬杳眩?/p>

每個a各自獨立地為1至5的整數；

y和z為摩爾比，且y+z＝1，0≤y≤1，0≤z≤1；

(b)交聯劑；以及

(c)酸產生劑，

其中通過該反應溫度、該反應時間和/或該酸產生劑的含量控制該高分子材料層的表面能。

9.如權利要求8所述的控制高分子材料層表面能的方法，其中該反應溫度為100至150℃；隨著該反應溫度的提高，該高分子材料表面能會降低。

10.如權利要求8所述的控制高分子材料層表面能的方法，其中該反應時間為5分鐘至2小時；隨著該反應時間的延長，該高分子材料的表面能會提高。

11.如權利要求8所述的控制高分子材料層表面能的方法，其中該酸產生劑的含量占該高分子組合物的0.5～25重量％；添加該酸產生劑可促進該高分子材料的交聯反應進行。

12.如權利要求8所述的控制高分子材料層表面能的方法，其中該表面能為30至60mJ/m²。

13.如權利要求8所述的控制高分子材料層表面能的方法，其中該R為乙酰氧基；該X為H；該a為1；該y或z為0。