[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710161946.6
• 申請日: 2003-05-30
• 公開（公告）號: CN101131970A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藤沢哲也;松木浩久;井川治;愛場喜孝;生云雅光;佐藤光孝
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 張浩

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

基板；

安裝在基板上的半導(dǎo)體元件；以及

在半導(dǎo)體元件周圍提供的樹脂層，其上表面與半導(dǎo)體元件的上表面處于同一水平，

其中，所述樹脂層為可半固化樹脂，具有當(dāng)在半固化狀態(tài)下加熱時變軟并流體化的特性，所述樹脂層與所述半導(dǎo)體元件的側(cè)表面緊密接觸，兩者之間沒有間隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中形成所述半固化狀態(tài)樹脂層的可半固化樹脂的軟化點(diǎn)等于或大于60℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中形成所述樹脂層的可半固化樹脂為B階段環(huán)氧樹脂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中通過由所述可半固化樹脂形成的粘結(jié)劑將所述半導(dǎo)體元件固定到所述基板上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體元件的厚度等于或小于50μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中多個半導(dǎo)體元件安裝在所述基板上，在半導(dǎo)體元件之間提供所述樹脂層。

7.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，特征在于以下步驟：

在基板上形成半固化狀態(tài)的樹脂層，以便將半導(dǎo)體元件設(shè)置到該樹脂層中，該樹脂層由可半固化樹脂組成；

通過加熱使半固化狀態(tài)的填充樹脂層流體化；

通過在間隙中填充流體化的填充樹脂層，消除半導(dǎo)體元件和所述填充樹脂層之間的間隙；以及

通過加熱完全固化所述樹脂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，將所述半導(dǎo)體元件安裝在所述基板上之后，在所述半導(dǎo)體元件周圍形成半固化狀態(tài)的所述樹脂層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在所述基板上安裝所述半導(dǎo)體元件之前，在所述基板上形成具有用于放置所述半導(dǎo)體元件的開口的半固化狀態(tài)的所述樹脂層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，使用印刷法將半固化狀態(tài)的所述樹脂層轉(zhuǎn)移到所述基板上。

11.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在所述基板上形成半固化狀態(tài)的所述樹脂層，使所述填充樹脂層的側(cè)面和所述半導(dǎo)體元件的側(cè)面之間的距離小于所述半導(dǎo)體元件的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，通過加熱使半固化狀態(tài)的所述樹脂層流體化之前，在所述填充樹脂層和所述半導(dǎo)體元件上覆蓋一層光敏膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在所述流體化步驟之前，除去所述光敏膜的一部分，該部分對應(yīng)于所述樹脂層的不需要流體化的部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中通過將所述光敏膜的所述部分曝光而除去所述膜的該部分。

15.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，通過在等于或高于60℃的溫度下加熱使半固化狀態(tài)的所述樹脂層流體化。

16.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，將半固化狀態(tài)的所述填充樹脂層形成得使半固化狀態(tài)的所述樹脂層的厚度大于所述半導(dǎo)體元件的厚度。

17.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述粘結(jié)劑施加到厚度為5μm到20μm的所述半導(dǎo)體元件上，以通過粘結(jié)劑將所述半導(dǎo)體元件固定到所述基板上。

18.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，所述可半固化樹脂用做所述粘結(jié)劑。

19.根據(jù)權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，通過在等于或低于60℃的溫度下加熱所述粘結(jié)劑將所述粘結(jié)劑設(shè)置在半固化狀態(tài)。

20.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述半導(dǎo)體元件的厚度等于或小于50μm。