[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710161880.0
• 申請(qǐng)日: 2007-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN101257042A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 內(nèi)藤慎哉;藤原英明;壇徹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/73
• 分類號(hào): H01L29/73
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李香蘭

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

第一導(dǎo)電型的集電層；

第二導(dǎo)電型的基層；

第一導(dǎo)電型的發(fā)射層；和

電荷移動(dòng)防止體，其在上述集電層和上述基層之間的邊界、上述基層中、上述基層和上述發(fā)射層之間的邊界以及上述發(fā)射層中的至少任一個(gè)中形成，具有作為相對(duì)電子或空穴的任一方的勢(shì)壘的效果。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述電荷移動(dòng)防止體包括在上述基層和上述發(fā)射層之間的邊界形成為層狀的電荷移動(dòng)防止膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述電荷移動(dòng)防止體在上述基層中、上述基層和上述發(fā)射層之間的邊界以及上述發(fā)射層中的至少一個(gè)中部分地形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

通過具有包含晶體的微小面積的小片的集合體被部分地形成來構(gòu)成上述電荷移動(dòng)防止體。

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述電荷移動(dòng)防止體由相對(duì)介電常數(shù)為30以上的材料構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述電荷移動(dòng)防止體包括具有作為對(duì)上述空穴的勢(shì)壘的效果的、帶隙比Si大的半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述電荷移動(dòng)防止體包括TiO₂膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述電荷移動(dòng)防止體含有碳作為雜質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

還具備：半導(dǎo)體基板，其形成有包括上述集電層、上述基層、上述發(fā)射層以及上述電荷移動(dòng)防止體的雙極晶體管；和

場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其包括在上述半導(dǎo)體基板上隔著柵極絕緣膜形成的柵極電極，

上述柵極絕緣膜由與上述電荷移動(dòng)防止體不同的材料形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述柵極絕緣膜由相對(duì)介電常數(shù)小于30的材料構(gòu)成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

還具備半導(dǎo)體基板和在上述半導(dǎo)體基板上形成的層間絕緣膜，

包括上述集電層、上述基層、上述發(fā)射層以及上述電荷移動(dòng)防止體的雙極晶體管被形成在上述層間絕緣膜上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第2導(dǎo)電型的基層由多晶膜或非晶膜中的任一種形成。