[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200710161862.2
• 申請日: 2007-09-24
• 公開（公告）號: CN101211937A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 趙殷相
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/71
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種圖像傳感器，包括：

多個第一氧化物膜微透鏡，形成在襯底上；以及

第二氧化物膜微透鏡，形成在每個第一氧化物膜微透鏡上，其中該第二氧化物膜微透鏡以間隔件形式形成在每個第一氧化物膜微透鏡的側面。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器，其中該多個第一氧化物膜微透鏡的材料下部保留在該襯底上。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器，其中該第二氧化物膜微透鏡中每一個微透鏡均具有大致相同的曲率，該第一氧化物膜微透鏡中每一個微透鏡均具有大致相同的曲率。

4.如權利要求1所述的圖像傳感器，其中該多個第一氧化物膜微透鏡由與該第二氧化物膜微透鏡相同的材料形成。

5.一種圖像傳感器的制造方法，包括：

在襯底上形成多個第一微透鏡；以及

在該多個第一微透鏡上沉積透明膜；以及

蝕刻該透明膜，以在該多個第一微透鏡中的各微透鏡之間提供零間隙。

6.如權利要求5所述的方法，其中該透明膜包括氧化物層。

7.如權利要求5所述的方法，其中在襯底上形成多個第一微透鏡的步驟包括：

在該襯底上形成氧化物膜；

在該氧化物膜上形成具有預定間隙的多個光致抗蝕劑圖案；以及

使用該多個光致抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻該氧化物膜，以形成多個第一氧化物膜微透鏡，每個氧化物膜微透鏡具有大致相同的曲率。

8.如權利要求7所述的方法，其中該多個光致抗蝕劑圖案包括普通的光致抗蝕劑，所述普通的光致抗蝕劑不是專門用于微透鏡的光致抗蝕劑。

9.如權利要求7所述的方法，其中形成該多個光致抗蝕劑圖案的步驟不包括單獨的回流工藝。

10.如權利要求7所述的方法，其中形成在該襯底上的氧化物膜的厚度與形成在該氧化物膜上的光致抗蝕劑圖案的厚度大致相同。

11.如權利要求7所述的方法，其中該多個光致抗蝕劑圖案與該氧化物膜的蝕刻選擇比率大致相同。

12.如權利要求7所述的方法，其中使用該多個光致抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻該氧化物膜的步驟包括：蝕刻該氧化物膜，以使該氧化物膜的下部保留在該襯底上。

13.如權利要求7所述的方法，其中蝕刻該氧化物膜的步驟包括進行等向性蝕刻。

14.如權利要求7所述的方法，其中在蝕刻該氧化物膜期間，電源電量和偏置電量的比例為3～10∶1。

15.如權利要求5所述的方法，其中蝕刻該透明膜，直至該第一微透鏡暴露出為止，使得間隔件形成在該多個第一微透鏡中每一個微透鏡的側面。

16.如權利要求15所述的方法，其中形成間隔件形式的步驟不使用光致抗蝕劑圖案。

17.如權利要求5所述的方法，其中該透明膜的硬度大于該多個第一微透鏡的材料的硬度。

18.如權利要求5所述的方法，其中沉積透明膜的步驟包括：通過低溫化學氣相沉積工藝形成SiO₂層。

19.如權利要求5所述的方法，進一步包括：通過注入C₅F₈、O₂、CF₄和Ar的混合氣體，蝕刻該透明膜，以在該多個第一微透鏡中每一個微透鏡上形成微透鏡形狀。

20.如權利要求19所述的方法，其中C₅F₈、O₂、CF₄和Ar的混合比例為1∶1.1～3∶11～3∶50～60。