[發明專利]一種磁阻式隨機存取存儲器及相關方法

無效

• 申請號: 200710161791.6
• 申請日: 2007-09-26
• 公開（公告）號: CN101154437A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 趙佑榮;辛允承
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種磁阻式隨機存取存儲器RAM，其包含：

多個可變電阻器件；

多條讀位線，其被電連接到各自的可變電阻器件；以及

多條寫位線，其與所述讀位線交錯，其中所述磁阻式RAM被配置為：

當將第一數據寫到第一可變電阻器件時，通過與所述第一可變電阻器件相鄰的第一寫位線施加第一寫電流，以及

通過與第二可變電阻器件相鄰的第二寫位線施加第一抑制電流，所述第二可變電阻器件與所述第一寫位線相鄰、并且在所述第一寫位線與所述第二寫位線之間，并且所述第一寫電流與所述第一抑制電流以相同方向流動。

2.如權利要求1所述的磁阻式RAM，其中每一個可變電阻器件均被布置于兩條寫位線之間并與該兩條寫位線相鄰。

3.如權利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述第一抑制電流量小于所述第一寫電流量。

4.如權利要求3所述的磁阻式RAM，其中所述第一抑制電流量約為所述第一寫電流量的1/2。

5.如權利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述讀位線與所述寫位線以這樣的方式交錯：一條寫位線跟著一條讀位線，依次地，另一條讀位線跟著該寫位線。

6.如權利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述第一寫電流與所述第一抑制電流同時流動。

7.如權利要求1所述的磁阻式RAM，其中防止電流流經第三寫位線，所述第三寫位線被排列在所述第一可變電阻器件的與所述第一寫位線所在的那側相反的一側。

8.如權利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述磁阻式RAM還被配置為：

當將第二數據寫到所述第一可變電阻器件時，通過與所述第一可變電阻器件相鄰的第三寫位線施加第二寫電流，以及

通過與第三可變電阻器件相鄰的第四寫位線施加第二抑制電流，所述第一可變電阻器件在所述第一寫位線與所述第三寫位線之間，所述第三可變電阻器件與所述第三寫位線相鄰、并且在所述第三寫位線與所述第四寫位線之間，所述第一寫電流和所述第二寫電流以相同方向流動，并且所述第二寫電流與所述第二抑制電流同時地、并且以相同方向流動。

9.如權利要求8所述的磁阻式RAM，其中所述第二抑制電流量小于所述第二寫電流量。

10.如權利要求9所述的磁阻式RAM，其中所述第二抑制電流量約為所述第二寫電流量的1/2。

11.如權利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述可變電阻器件中的每一個均被垂直地排列在半導體襯底上；并且

所述第一寫電流和所述第一抑制電流中的每一個均垂直流動。

12.如權利要求11所述的磁阻式RAM，還包含：字線，其被排列在所述半導體襯底上方的層面，該層面不同于所述位線被排列的層面。

13.如權利要求12所述的磁阻式RAM，其中所述字線與所述位線各自被水平地排列在所述半導體襯底上。

14.如權利要求12所述的磁阻式RAM，還包含：

多個寫二極管，其各自被垂直地排列在所述半導體襯底上，并且被分別連接到所述寫位線；以及

多個讀二極管，其各自被垂直地排列在所述半導體襯底上，并且被分別連接到所述讀位線。

15.如權利要求1所述的磁阻式RAM，其中：

所述可變電阻器件中的每一個均包括至少一個自由磁層，所述自由磁層基本平行于襯底，

所述第一和第二寫位線經由各自的第一和第二連接部分被電連接到相應的字線，所述連接部分與所述可變電阻器件相鄰并且具有主軸，該主軸朝向基本垂直于所述襯底的方向，以及

所述第一寫電流和所述第一抑制電流流經所述各自的第一和第二連接部分，以產生分別與所述第一和第二可變電阻器件相互作用的第一和第二磁場。

16.如權利要求15所述的磁阻式RAM，其中流經所述第一連接部分的所述第一寫電流產生與所述第一和第二可變電阻器件二者相互作用的所述第一磁場。