[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710161728.2 | 申請(qǐng)日： | 2007-09-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101149964A | 公開（公告）日： | 2008-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 神田和重 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào)： | G11C8/12 | 分類號(hào)： | G11C8/12;H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人： | 李崢;楊曉光 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲(chǔ) 裝置 | ||
1.一種具有從共同連接的輸入輸出焊盤和控制焊盤輸入控制信號(hào)的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
上述半導(dǎo)體芯片具有：
存儲(chǔ)表示自身的地址的自身芯片地址的自身地址存儲(chǔ)部；
將上述自身芯片地址與通過上述輸入輸出焊盤從外部輸入的選擇地址比較而進(jìn)行一致判斷的判斷部；和
根據(jù)該一致判斷而將上述控制信號(hào)設(shè)定為有效或無效的控制信號(hào)設(shè)定部。
2.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述控制信號(hào)設(shè)定部根據(jù)復(fù)位信號(hào)將上述控制信號(hào)設(shè)定為有效。
3.按權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述復(fù)位信號(hào)作為上述控制信號(hào)之一而從上述控制焊盤輸入。
4.按權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：還具有檢測(cè)到切換了用于使上述半導(dǎo)體芯片活性化的芯片使能信號(hào)的邏輯后發(fā)生上述復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)發(fā)生電路。
5.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述自身地址存儲(chǔ)部由激光熔斷型的熔斷元件或非易失性存儲(chǔ)器型的熔斷元件構(gòu)成。
6.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述控制信號(hào)設(shè)定部是根據(jù)上述判斷部的上述一致判斷的結(jié)果而將輸入的上述控制信號(hào)設(shè)定為有效或無效的緩沖器。
7.按權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，
上述緩沖器具有：
將用于使上述半導(dǎo)體芯片活性化的芯片使能信號(hào)作為上述控制信號(hào)而輸入，根據(jù)上述判斷部的一致判斷的結(jié)果將上述芯片使能信號(hào)設(shè)定為有效或無效的第1緩沖器；和
根據(jù)上述芯片使能信號(hào)為有效或無效而將其他的上述控制信號(hào)設(shè)定為有效或無效的第2緩沖器。
8.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述半導(dǎo)體芯片通過從最上層到最下層貫通的貫通孔共同連接。
9.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述輸入輸出焊盤和控制焊盤形成在上述半導(dǎo)體芯片的平面方向中心部。
10.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述控制焊盤包含獨(dú)立地輸入有選擇地使多個(gè)上述半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)活性化的多種芯片使能信號(hào)的多個(gè)芯片使能信號(hào)用輸入焊盤。
11.按權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：具有與上述多個(gè)芯片使能信號(hào)用的各個(gè)輸入焊盤對(duì)應(yīng)地設(shè)置的在上述自身芯片地址與上述選擇地址一致時(shí)將上述芯片使能信號(hào)設(shè)定為有效的緩沖器。
12.按權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述控制信號(hào)設(shè)定部根據(jù)復(fù)位信號(hào)將上述控制信號(hào)設(shè)定為有效。
13.按權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述復(fù)位信號(hào)作為上述控制信號(hào)之一被從上述控制焊盤輸入。
14.按權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：還具有檢測(cè)到切換了用于使上述半導(dǎo)體芯片活性化的芯片使能信號(hào)的邏輯后發(fā)生上述復(fù)位信號(hào)的復(fù)位信號(hào)發(fā)生電路。
15.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述輸入輸出焊盤和控制焊盤形成在上述半導(dǎo)體芯片的平面方向端部。
16.按權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于：上述半導(dǎo)體芯片是NAND型閃速存儲(chǔ)器。
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