[發明專利]具有可控電阻率的耐等離子體腐蝕陶瓷

無效

• 申請號: 200710161551.6
• 申請日: 2007-09-29
• 公開（公告）號: CN101357846A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 珍妮弗·Y·孫;肯尼思·S·柯林斯;任關·段;森·撒奇;托馬斯·格雷夫斯;曉明·何;杰·袁
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: C04B35/50
• 分類號: C04B35/50;C04B35/48
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1、一種包含陶瓷的制品，其能抵抗用于半導體處理中的含鹵等離子體的 侵蝕并在從約350℃至室溫范圍內的溫度下具有在約10^-7至10^-15Ω·cm范圍內 的電阻率，所述制品具有包含至少一種含氧化釔固溶體的表面，以及其中包含 氧化釔的至少一種固溶體還包含選自氧化鋯、氧化鉿、氧化鈧、氧化鈮、氧化 釤、氧化鐿、氧化鉺、氧化鈰及其組合的一種或多種氧化物。

2、根據權利要求1所述的含陶瓷制品，其特征在于，其它鑭系元素氧化 物包括于所述陶瓷制品中。

3、根據權利要求1所述的含陶瓷制品，其特征在于，兩種氧化物用于形 成包含氧化釔和其它氧化物的所述至少一種固溶體，以及其中所述其它氧化物 選自氧化鋯、氧化鈰、氧化鉿和氧化鈮。

4、根據權利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，氧化鈧、氧化釤、 氧化鐿、氧化鉺或其它鑭系元素氧化物包括于所述陶瓷制品中。

5、根據權利要求1所述的含陶瓷制品，其特征在于，多于兩種的前驅物 氧化物用于形成包含氧化釔的所述固溶體，以及其中所述前驅物氧化物包括氧 化鋯以及選自氧化鉿、氧化鈧、氧化鈮、氧化釤、氧化鐿、氧化鉺、氧化鈰及 其組合的其它氧化物。

6、根據權利要求5所述的含陶瓷制品，其特征在于，其它鑭系元素包括 于所述含陶瓷制品中。

7、根據權利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷由在從約 40％摩爾分數到小于100％摩爾分數范圍內的濃度下的氧化釔，和在從高于0％ 摩爾分數到約60％摩爾分數范圍內的濃度下的氧化鋯形成。

8、根據權利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷由在從約 40％摩爾分數到小于100％摩爾分數范圍內的濃度下的氧化釔，和在從高于0％ 摩爾分數到約60％摩爾分數范圍內的濃度下的氧化鈰形成。

9、根據權利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷由在從約 40％摩爾分數到小于100％摩爾分數范圍內的濃度下的氧化釔，和在從高于0％ 摩爾分數到約60％摩爾分數范圍內的濃度下的氧化鉿形成。

10、根據權利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷由在從約 40％摩爾分數到小于100％摩爾分數范圍內的濃度下的氧化釔，和在從高于0％ 摩爾分數到約60％摩爾分數范圍內的濃度下的氧化鈮形成。

11、根據權利要求5所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述氧化釔存在從 約40％摩爾分數到小于100％摩爾分數范圍內的濃度，以及氧化鋯存在從高于 0％摩爾分數到約20％摩爾分數范圍內的濃度，以及氧化鈧存在從高于0％摩爾 分數到小于100％摩爾分數范圍內的濃度。

12、根據權利要求5所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述氧化釔存在從 約70％摩爾分數到小于100％摩爾分數范圍內的濃度，以及氧化鋯存在從高于 0％摩爾分數到約17％摩爾分數范圍內的濃度，以及氧化鉿存在從高于0％摩爾 分數到約27％摩爾分數范圍內的濃度。

13、根據權利要求5所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述制品由三相燒 結陶瓷形成，其包括包含Y₂O₃-ZrO₂-Nb₂O₅的第一相固溶體，其占所述燒結陶 瓷材料的約60％到約90％之間的摩爾分數；第二相Y₃NbO₇占所述燒結陶瓷材 料的約5％到約30％之間的摩爾分數；以及元素形式的第三相Nb，其占所述 燒結陶瓷材料的約1％到約10％之間的摩爾分數。

14、根據權利要求1所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述制品為靜電夾 盤或襯底升降桿形式，或者需要從約350℃到室溫范圍內的溫度下從約10^-7或 10^-15Ω·cm范圍內電阻率的其它制品形式。