[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710161528.7
• 申請日: 2007-09-29
• 公開（公告）號: CN101241898A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 辛容撤
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉繼富;顧晉偉

1.一種半導體器件，包括：

在半導體襯底上形成的柵極圖案，所述襯底限定單元區域和周邊區域；

在所述單元區域中形成的第一和第二接觸塞；

在所述周邊區域中形成的第三和第四接觸塞；

在所述單元區域中形成的并覆蓋所述第一接觸塞的第一分隔結構；

在所述周邊區域中形成的并限定第一和第二開口的第二分隔結構，所述第一開口暴露所述第三接觸塞的上部，所述第二開口暴露所述第四接觸塞的上部；和

在所述第一、第二、第三、和第四接觸塞上形成的第一、第二、和第三金屬線部分，所述第一金屬線部分在所述單元區域中形成并接觸所述第二接觸塞，所述第二金屬線部分在所述周邊區域中形成并接觸所述第三接觸塞，所述第三金屬線部分在所述周邊區域中形成并接觸所述第四接觸塞，

其中，所述第一分隔結構使所述第一接觸塞與所述第一金屬線部分電學上隔離。

2.權利要求1的半導體器件，其中所述第一分隔結構由所述第一金屬線部分包封。

3.權利要求1的半導體器件，其中所述第一和第二分隔結構各自包括氮化物膜和氧化物膜。

4.權利要求1的半導體器件，其中所述第一分隔結構的寬度大于所述第一接觸塞的寬度。

5.權利要求1的半導體器件，其中所述第一分隔結構的厚度小于所述第二分隔結構的厚度。

6.權利要求1的半導體器件，其中所述第一分隔結構使在其下部上的所述接觸塞與所述金屬線電學上分隔。

7.權利要求1的半導體器件，其中所述第一接觸塞配置為接觸在源極選擇線之間的源極區，和所述第二接觸塞配置為接觸在漏極選擇線之間的漏極區。

8.權利要求7的半導體器件，其中所述第三接觸塞配置為接觸接合區，所述第四接觸塞配置為接觸柵極線。

9.一種半導體器件，包括：

在半導體襯底上形成的并包括字線、選擇線和柵極線的柵極圖案；

在包括所述柵極圖案的半導體襯底上形成的并包括多個接觸孔的絕緣膜；

分別在所述各接觸孔內形成的多個接觸塞；

在所述各接觸塞中在連接到單元區域上的源極的接觸塞上形成的第一分隔結構；

在周邊區域中用以暴露所述接觸塞的第二分隔結構；和

在所述第二分隔結構之間形成的并接觸所述周邊區域中的接觸塞的金屬線。

10.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上形成柵極圖案；

在包括所述柵極圖案的半導體襯底上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成多個接觸孔；

分別在所述各接觸孔內形成多個接觸塞；

在所述接觸塞的一部分上形成第一分隔膜；

形成暴露所述接觸塞的另一部分并限定用于待形成金屬線的區域的第二分隔結構；和

形成在所述第二分隔結構之間形成的金屬線。

11.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在半導體襯底上形成包括字線、選擇線和柵極線的柵極圖案；

在包括所述柵極圖案的半導體襯底上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成多個接觸孔，以分別暴露單元區域上的源極和漏極、和周邊區域上的所述柵極線和接合區；

在所述接觸孔內形成接觸塞；

在所述單元區域中和在連接到所述源極的接觸塞上形成第一分隔結構；

在所述周邊區域中形成第二分隔結構并配置為暴露位于所述周邊區域中的所述接觸塞；和

形成在所述第二分隔結構之間形成的金屬線。

12.權利要求11的制造半導體器件的方法，其中形成所述金屬線的步驟包括：

形成所述金屬線以覆蓋所述第一和第二分隔結構；和

進行化學機械拋光工藝以暴露所述第二分隔結構。

13.權利要求11的制造半導體器件的方法，其中形成所述第一分隔結構的步驟包括：

在所述絕緣膜上形成氮化物膜和氧化物膜；和

蝕刻所述氮化物和氧化膜以得到直接位于所述第一接觸塞上的氮化物膜圖案和氧化物膜圖案。