[發明專利]具有高度光取出效率的半導體發光組件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710161406.8
• 申請日: 2007-09-20
• 公開（公告）號: CN101393954A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 蔡宗良
• 申請（專利權）人: 廣鎵光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 上海虹橋正瀚律師事務所
• 代理人: 李佳銘

1、一種半導體發光組件，其特征在于，包含：

一基板，所述基板具有一第一上表面以及形成在所述第一上表面上的數個凹陷；

一第一半導體材料層，所述第一半導體材料層形成在所述基板的所述第一上表面上并且具有一第二上表面；

一多層結構，所述多層結構形成在所述第一半導體材料層的所述第二上表面上并且包含一發光區；以及

一歐姆電極結構，所述歐姆電極結構形成在所述多層結構上；

其中所述第一半導體材料層的折射率不同于所述基板的折射率以及所述多層結構的一最底層的折射率。

2、如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：所述多層結構的所述最底層是一第二半導體材料層，所述第二半導體材料層具有一第三上表面并且其折射率不同于所述多層結構的一次底層的折射率以及所述第一半導體材料層的折射率。

3、如權利要求2所述的半導體發光組件，其特征在于：所述第一半導體材料層及所述第二半導體材料層是選自由一II-V族化合物、一II-VI族化合物及一III-V族化合物所組成的一群組中的其中一個所形成。

4、如權利要求3所述的半導體發光組件，其特征在于：在所述II-V族化合物中的一II族化學元素是選自由鋅、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇以及鐳所組成的一群組中的一元素，并且所述II-V族化合物中的一V族化學元素是選自由氮、磷以及砷所組成的一群組中的一元素。

5、如權利要求3所述的半導體發光組件，其特征在于：在所述II-VI族化合物中的一II族化學元素是選自由鋅、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇以及鐳所組成的一群組中的一元素，并且所述II-VI族化合物中的一VI族化學元素是選自由氧、硫、硒、碲以及鐠所組成的一群組中的一元素。

6、如權利要求3所述的半導體發光組件，其特征在于：在所述III-V族化合物中的一III族化學元素是選自由鋁、鎵以及銦所組成的一群組中的一元素，并且所述III-V族化合物中的一V族化學元素是選自由氮、磷以及砷所組成的一群組中的一元素。

7、如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：所述第一半導體材料層的所述第二上表面是粗糙的。

8、如權利要求2所述的半導體發光組件，其特征在于：所述第二半導體材料層的所述第三上表面是粗糙的。

9、如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：所述第一半導體材料層的一厚度是由所述基板、所述第一半導體材料層及所述最底層的折射率所決定。

10、如權利要求2所述的半導體發光組件，其特征在于：所述第二半導體材料層的一厚度是由所述基板、所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層及所述次底層的折射率所決定。

11、如權利要求1所述的半導體發光組件，其特征在于：所述基板是由選自由玻璃、硅、鍺、氮化鎵、砷化鎵、磷化鎵、氮化鋁、藍寶石、尖晶石、三氧化二鋁、碳化硅、氧化鋅、氧化鎂、二氧化鋰鋁、二氧化鋰鎵以及四氧化鎂二鋁所組成的一群組中的其中一個所形成。

12、一種制造一半導體發光組件的方法，其特征在于，所述方法包含下列步驟：

制備一基板，所述基板具有一第一上表面以及形成在所述第一上表面上的數個凹陷；

形成一第一半導體材料層于所述基板的所述第一上表面上，所述第一半導體材料層具有一第二上表面；

形成一多層結構于所述第一半導體材料層的所述第二上表面上，所述多層結構包含一發光區；以及

形成一歐姆電極結構于所述多層結構上；

其中所述第一半導體材料層的折射率不同于所述基板的折射率以及所述多層結構的一最底層的折射率。

13、如權利要求12所述的方法，其特征在于：所述多層結構的所述最底層是一第二半導體材料層，所述第二半導體材料層具有一第三上表面并且其折射率不同于所述多層結構的一次底層的折射率以及所述第一半導體材料層的折射率。

14、如權利要求13所述的方法，其特征在于：所述第一半導體材料層及所述第二半導體材料層是選自由一II-V族化合物、一II-VI族化合物及一III-V族化合物所組成的一群組中的其中一個所形成。