[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710161231.0
• 申請日: 2007-09-25
• 公開（公告）號: CN101295726A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金成均
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/762;H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種圖像傳感器，包括：

半導(dǎo)體襯底，包括電路區(qū)域；

金屬線層，形成在所述半導(dǎo)體襯底上并且包括多個金屬線和層間絕緣層；

第一導(dǎo)電層，包括彼此隔開的圖案，形成在所述多個金屬線上；

第一像素隔離層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層的圖案之間；

本征層，形成在所述第一導(dǎo)電層和所述第一像素隔離層上；

第二導(dǎo)電層，形成在所述本征層上；以及

第二像素隔離層，設(shè)置在所述第二導(dǎo)電層上，且在對應(yīng)所述第一像素隔離層的位置處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一導(dǎo)電層包括以n型雜質(zhì)摻雜的非晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一導(dǎo)電層包括摻雜非晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一像素隔離層和所述本征層由相同材料形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第一像素隔離層包括能夠抑制所述第一導(dǎo)電層導(dǎo)電性的雜質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第二導(dǎo)電層包括摻雜非晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第二像素隔離層和所述第一本征層由相同材料形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器，其中所述第二導(dǎo)電層包括以p型雜質(zhì)摻雜的非晶硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述第二像素隔離層包括能夠抑制所述第二導(dǎo)電層導(dǎo)電性的雜質(zhì)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，進一步包括在所述多個金屬線的每個金屬線與所述第一導(dǎo)電層的圖案之間的下電極。

11.一種圖像傳感器的制造方法，所述方法包括：

在包括電路區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成金屬線層，所述金屬線層包括多個金屬線和層間絕緣層；

在所述多個金屬線上形成具有圖案的第一導(dǎo)電層，所述圖案由圖案之間的第一像素隔離層隔開；

在所述第一導(dǎo)電層的圖案和所述第一像素隔離層上形成本征層；

在所述本征層上形成第二導(dǎo)電層；以及

在所述第二導(dǎo)電層中形成第二像素隔離層，所述第二像素隔離層與所述第一像素隔離層相對應(yīng)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述多個金屬線上形成具有圖案的所述第一導(dǎo)電層且所述圖案由所述圖案之間的第一像素隔離層隔開包括：

在所述金屬線層上沉積本征層材料；

在所述本征層材料上形成第一掩模，所述第一掩模至少暴露所述本征層材料的對應(yīng)所述多個金屬線的每個金屬線的部分；以及

用所述第一掩模作為離子注入掩模，將第一雜質(zhì)注入到所述本征層材料的暴露部分中，從而形成所述第一導(dǎo)電層的圖案和所述第一像素隔離層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一雜質(zhì)包括n型雜質(zhì)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述多個金屬線上形成具有圖案的所述第一導(dǎo)電層且所述圖案由所述圖案之間的第一像素隔離層隔開包括：

在所述金屬線層上沉積第一導(dǎo)電層材料；

在所述第一導(dǎo)電層材料上形成第一掩模，所述第一掩模至少覆蓋所述第一導(dǎo)電層材料的對應(yīng)所述多個金屬線的每個金屬線的部分；以及

用所述第一掩模作為離子注入掩模，將能夠去除所述第一導(dǎo)電層材料導(dǎo)電性的雜質(zhì)注入到所述第一導(dǎo)電層材料的暴露部分中，從而形成所述第一導(dǎo)電層的圖案和所述第一像素隔離層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電層材料包括n摻雜非晶硅；以及

其中所述能夠去除所述第一導(dǎo)電層材料導(dǎo)電性的雜質(zhì)包括p型雜質(zhì)、氧或氮。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述第二導(dǎo)電層以及在所述第二導(dǎo)電層中形成所述第二像素隔離層包括：

在所述本征層上沉積第二導(dǎo)電層材料；

在所述第二導(dǎo)電層材料上形成第二掩模，所述第二掩模至少覆蓋所述第二導(dǎo)電層材料的對應(yīng)所述第一導(dǎo)電層圖案的部分；以及

用所述第二掩模作為離子注入掩模，將能夠去除所述第二導(dǎo)電層材料導(dǎo)電性的雜質(zhì)注入到所述第二導(dǎo)電層材料的暴露部分中，從而形成所述第二導(dǎo)電層以及在所述第二導(dǎo)電層中形成所述第二像素隔離層。