[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其編程方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710160123.1
• 申請(qǐng)日: 2007-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN101211656A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中井潔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 爾必達(dá)存儲(chǔ)器股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/56
• 分類號(hào): G11C11/56;G11C29/44;G11C17/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 孫紀(jì)泉

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括：

記錄層，包括其電阻可以可逆改變的可變電阻材料；

電極層，與記錄層接觸；

寫入電路，通過使電流流經(jīng)其中而將記錄層與電極層物理分離；以及

檢測(cè)電路，檢測(cè)記錄層和電極層之間的連接狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還包括鎖存電路，所述鎖存電路保持表示由檢測(cè)電路檢測(cè)到的連接狀態(tài)的邏輯值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還包括：

多條位線；

多條字線，與所述多條位線交叉；以及

多個(gè)非易失性存儲(chǔ)元件，位于位線和字線之間的交叉點(diǎn)處，

其中每一個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元元件具有實(shí)質(zhì)上與包括記錄層和電極層的儲(chǔ)存單元相同的配置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中組成儲(chǔ)存單元的記錄層和電極層之間的接觸區(qū)比組成非易失性存儲(chǔ)元件的記錄層和電極層之間的接觸區(qū)大。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中將儲(chǔ)存單元用作存儲(chǔ)有缺陷存儲(chǔ)單元的地址的熔絲元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中將儲(chǔ)存單元用作存儲(chǔ)程序的ROM元件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還包括初始化電路，所述初始化電路將記錄層中所包括的可變電阻材料初始化為預(yù)定的電阻狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中可變電阻材料是其電阻依賴于相狀態(tài)而不同的相變材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中可變電阻材料是其電阻基于電壓脈沖的施加而改變的磁阻材料。

10.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括：

多條位線；

多條字線，與所述多條位線交叉；

多個(gè)存儲(chǔ)單元，位于位線和字線之間的交叉點(diǎn)處；以及

熔絲元件，存儲(chǔ)有缺陷存儲(chǔ)單元的地址，

其中所述存儲(chǔ)單元具有與相應(yīng)的位線串聯(lián)的記錄層和電極層，所述記錄層包括其電阻可以可逆改變的可變電阻材料，并且所述熔絲元件具有與存儲(chǔ)單元中所包括的非易失性存儲(chǔ)元件實(shí)質(zhì)上相同的配置。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中組成熔絲元件的記錄層和電極層之間的接觸區(qū)比組成非易失性存儲(chǔ)元件的記錄層和電極層之間的接觸區(qū)大。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中可變電阻材料是其電阻依賴于相狀態(tài)而不同的相變材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中非易失性存儲(chǔ)元件基于記錄層中所包括的相變材料的相狀態(tài)來保持信息，并且熔絲元件基于記錄層和電極層之間存在或不存在物理接觸來保持信息。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還包括：

通過向熔絲元件傳送寫入電流使記錄層與電極層物理分離的電路；以及

初始化電路，所述初始化電路通過向熔絲元件傳送初始化電流來使記錄層中所包括的相變材料結(jié)晶，

其中寫入電流的電流量比初始化電流的電流量大。

15.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中可變電阻材料是其電阻基于電壓脈沖的施加而改變的磁阻材料。

16.一種用于對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中的有缺陷地址進(jìn)行編程的編程方法，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括：

多條位線；

多條字線，與所述多條位線交叉；

多個(gè)存儲(chǔ)單元，位于位線和字線之間的交叉點(diǎn)處；以及

熔絲元件，存儲(chǔ)有缺陷存儲(chǔ)單元的地址，

其中所述存儲(chǔ)單元具有與相應(yīng)的位線串聯(lián)的記錄層和電極層，所述記錄層包括其電阻可以可逆改變的可變電阻材料，并且所述熔絲元件具有與存儲(chǔ)單元中所包括的非易失性存儲(chǔ)元件實(shí)質(zhì)上相同的配置，

所述編程方法包括：

地址指定步驟，指定有缺陷存儲(chǔ)單元的地址；以及

寫入步驟，將組成與所指定的有缺陷地址相對(duì)應(yīng)的預(yù)定熔絲元件的記錄層和電極層物理分離。