[發(fā)明專(zhuān)利]圖像傳感器及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710159900.0
• 申請(qǐng)日: 2007-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101211935A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓昌勛;丁海壽
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146;H01L21/822;H01L21/71
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種圖像傳感器，包括：

濾色鏡層，位于半導(dǎo)體襯底上；以及

微透鏡陣列，位于所述濾色鏡層上，其中，所述微透鏡包括透明導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括：平坦化層，位于所述濾色鏡層與所述微透鏡陣列之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述微透鏡陣列包括ITO層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中所述ITO層的厚度在大約1000至大約6000的范圍內(nèi)。

5.一種制造圖像傳感器的方法，所述方法包括以下步驟：

在下部結(jié)構(gòu)上形成保護(hù)層，所述下部結(jié)構(gòu)包括光電二極管和互連；

在所述保護(hù)層上形成濾色鏡層；

在所述濾色鏡層上形成透明導(dǎo)電層；

在所述透明導(dǎo)電層上形成光致抗蝕劑膜；

通過(guò)將所述光致抗蝕劑膜圖案化形成犧牲微透鏡陣列；以及

蝕刻所述犧牲微透鏡和所述透明導(dǎo)電層，以在所述透明導(dǎo)電層中形成微透鏡陣列。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中蝕刻所述犧牲微透鏡陣列和所述透明導(dǎo)電層包括以1∶1的選擇率進(jìn)行蝕刻。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述微透鏡陣列包括ITO層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述ITO層的厚度在大約1000至大約6000的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中使用包括銦鹽和錫鹽的溶液通過(guò)CVD工藝形成所述ITO層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述ITO層具有在大約0.6％至2.8％的范圍內(nèi)的錫濃度。

11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過(guò)CVD工藝形成所述透明導(dǎo)電層。

12.一種制造圖像傳感器的方法，所述方法包括以下步驟：

在下部結(jié)構(gòu)上形成保護(hù)層，所述下部結(jié)構(gòu)包括光電二極管和互連；

在所述保護(hù)層上形成濾色鏡層；

在所述濾色鏡層上形成平坦化層；

在所述平坦化層上形成透明導(dǎo)電層；

在所述透明導(dǎo)電層上形成光致抗蝕劑膜；

通過(guò)將所述光致抗蝕劑膜圖案化形成犧牲微透鏡陣列；以及蝕刻所述犧牲微透鏡和所述透明導(dǎo)電層，以在所述透明導(dǎo)電層中形成微透鏡陣列。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中蝕刻所述犧牲微透鏡和所述透明導(dǎo)電層的步驟包括以大約1∶1的選擇率進(jìn)行蝕刻。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述微透鏡陣列包括ITO層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述ITO層的厚度在大約1000至大約6000的范圍內(nèi)。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中使用包括銦鹽和錫鹽的溶液通過(guò)CVD工藝形成所述ITO層。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述ITO層具有在大約0.6％至2.8％的范圍內(nèi)的錫濃度。

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中通過(guò)CVD工藝形成所述透明導(dǎo)電層。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述微透鏡陣列在800nm的單色光帶下具有等于或小于2.0×10³cm^-1的吸收系數(shù)。

20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述ITO層具有在大約0.6％至2.8％的范圍內(nèi)的錫濃度。