[發(fā)明專利]用于編程多層非易失性存儲(chǔ)裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710159635.6
• 申請(qǐng)日: 2007-09-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101174462A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡?hào)|赫;邊大錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種用于編程包括標(biāo)識(shí)單元和多個(gè)多位存儲(chǔ)單元的多層非易失性存儲(chǔ)器的方法，該多個(gè)多位存儲(chǔ)單元的每一個(gè)用于存儲(chǔ)由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)代表的數(shù)據(jù)，所述方法包括：

使用LSB數(shù)據(jù)編程該存儲(chǔ)單元，使得編程過(guò)的存儲(chǔ)單元具有大于VR1的閾值電壓；

修改該編程過(guò)的存儲(chǔ)單元的該閾值電壓，使得當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第三或第四值時(shí)，每一個(gè)該編程過(guò)的存儲(chǔ)單元都具有大于VR2的閾值電壓；

使用MSB數(shù)據(jù)編程存儲(chǔ)單元，使得每一個(gè)存儲(chǔ)單元：

當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第一值時(shí)，具有小于電壓VR1的閾值電壓；

當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第二值時(shí)，具有大于電壓VR1且小于電壓VR2的閾值電壓；

當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第三值時(shí)，具有大于電壓VR2且小于電壓VR3的閾值電壓；和

當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第四值時(shí)，具有大于電壓VR3的閾值電壓，其中VR1＜VR2＜VR3，其中標(biāo)識(shí)單元被編程以顯示MSB數(shù)據(jù)是否已經(jīng)被編程。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括編程該標(biāo)識(shí)單元使其具有大于VR3的閾值電壓，以指示已經(jīng)編程過(guò)該存儲(chǔ)單元的MSB數(shù)據(jù)。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中編程該標(biāo)識(shí)單元的步驟發(fā)生在修改該編程過(guò)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的步驟之后。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中使用MSB數(shù)據(jù)編程該存儲(chǔ)單元與該標(biāo)識(shí)單元的編程同時(shí)開(kāi)始。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該標(biāo)識(shí)單元的編程發(fā)生在該修改步驟之后，并且該MSB數(shù)據(jù)的編程發(fā)生在該標(biāo)識(shí)單元的編程之后。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該多層非易失性存儲(chǔ)器是閃存。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該多層非易失性存儲(chǔ)器是NAND閃存。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該LSB數(shù)據(jù)的編程和該MSB數(shù)據(jù)的編程均包括實(shí)現(xiàn)增量步進(jìn)脈沖編程。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中修改該編程過(guò)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓包括實(shí)現(xiàn)增量步進(jìn)脈沖編程。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括當(dāng)該標(biāo)識(shí)單元顯示存在編程過(guò)的MSB數(shù)據(jù)時(shí)，先在VR1、然后在VR2、然后在VR3讀取MSB數(shù)據(jù)。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在VR1讀取該標(biāo)識(shí)單元。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在VR2讀取該標(biāo)識(shí)單元。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中：

VR1大約等于0伏特；

VR2在大約1到2伏特的范圍內(nèi)；并且

VR3在大約2.5到3.5伏特的范圍內(nèi)。

14.一種用于根據(jù)用于編程包括至少一個(gè)標(biāo)識(shí)單元和多個(gè)多位存儲(chǔ)單元的多層非易失性存儲(chǔ)器的方法來(lái)控制存儲(chǔ)器的控制器，該多個(gè)多位存儲(chǔ)單元的每一個(gè)用于存儲(chǔ)由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)代表的數(shù)據(jù)，所述方法包括：

使用LSB數(shù)據(jù)編程該存儲(chǔ)單元，使得該編程過(guò)的存儲(chǔ)單元具有大于VR1的閾值電壓；

修改該編程過(guò)的存儲(chǔ)單元的該閾值電壓，使得當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第三或第四值時(shí)，每一個(gè)該編程過(guò)的存儲(chǔ)單元具有大于VR2的閾值電壓；

使用MSB數(shù)據(jù)編程該存儲(chǔ)單元，使得每一個(gè)存儲(chǔ)單元：

當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第一值時(shí)，具有小于電壓VR1的閾值電壓；

當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第二值時(shí)，具有大于電壓VR1且小于電壓VR2的閾值電壓；

當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第三值時(shí)，具有大于電壓VR2且小于電壓VR3的閾值電壓；

當(dāng)期望該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)第四值時(shí)，具有大于電壓VR3的閾值電壓，其中VR1＜VR2＜VR3，其中標(biāo)識(shí)單元被編程以顯示MSB數(shù)據(jù)是否已經(jīng)被編程。

15.如權(quán)利要求14所述的控制器，其中所述方法還包括編程該標(biāo)識(shí)單元以指示已經(jīng)編程過(guò)該存儲(chǔ)單元的MSB數(shù)據(jù)。

16.如權(quán)利要求15所述的控制器，其中該標(biāo)識(shí)單元的編程步驟發(fā)生在修改該編程過(guò)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的步驟之后。

17.如權(quán)利要求16所述的控制器，其中使用MSB數(shù)據(jù)編程該存儲(chǔ)單元與該標(biāo)識(shí)單元的編程同時(shí)開(kāi)始。