[發明專利]一種利用有效面積來建立記憶體電路的成品率模型的方法

有效

• 申請號: 200710157002.1
• 申請日: 2007-11-16
• 公開（公告）號: CN101178745A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發明（設計）人: 鄭勇軍;馬鐵中;史崢;嚴曉浪
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司
• 代理人: 胡紅娟

1.一種利用有效面積來建立記憶體電路成品率模型的方法，包括：

(1)建立記憶體原始成品率模型；

(2)建立記憶體特征失效成品率的模型；

(3)記憶體特征失效的修復計算；

(4)記憶體最終成品率的計算；

(5)記憶體特征失效和工藝模塊的缺陷率的互逆運算，建立記憶體電路成品率模型。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的建立記憶體原始成品率模型的方法包括：通過對每層的斷電和漏電缺陷曲線和該層的斷電和漏電的有效面積的乘積來積分來獲得該層的斷電和漏電的成品率；通過玻松模型來獲得每種接觸孔的成品率；最后產品的成品率是所有以上單個成品率的乘積。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的建立記憶體特征失效成品率的模型的方法包括：首先對記憶體中的所有版圖的元素進行標識，用蒙特卡洛的模擬方法來模擬缺陷發生的各種可能情況，并且計算該種情況發生的有效面積。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的記憶體特征失效的修復計算的方法包括：首先根據蒙特卡洛模擬方法所模擬的不同尺寸的缺陷可能造成的所有設計版圖上圖形失效的特征，判斷其圖形失效所對應的特征失效，然后再根據可用的修復資源來判斷該特征失效是否能夠被修復。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的記憶體最終成品率的計算的方法包括：在判斷各種不同的特征失效是否能夠被修復之后，對于能夠被修復的特征失效，就從原始成品率模型中減去其各層的有效面積和各個接觸孔的個數；對于不能修復的特征失效，則不做任何運算；經過這個過程以后，剩下的有效面積和接觸孔的個數就是無法修復的部分，進而就可以獲取最終產品的成品率。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述的記憶體特征失效和工藝模塊的缺陷率的互逆運算方法是通過解析線性方程的辦法來實現的。