[發明專利]有機電致發光二極管的控制電路

有效

• 申請號: 200710154772.0
• 申請日: 2005-10-28
• 公開（公告）號: CN101127360A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 彭仁杰;張孟祥
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云;陳小雯

1.一種有機電致發光二極管的控制電路，至少包含：

第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管的柵極電連接掃描線，該第一薄膜晶體管之第一源極/漏極電連接數據線；

第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管的柵極電連結該第一薄膜晶體管的第二源極/漏極，該第二薄膜晶體管的第三源極/漏極電連接一工作電壓，該第二薄膜晶體管的第四源極/漏極電連接有機電致發光二極管；以及

電容，一端電連接一參考電壓，另一端電連接該第二薄膜晶體管的柵極，其中，該電容的介電層的厚度異于該第一薄膜晶體管及該第二薄膜晶體管其中之一的柵極介電層的厚度。

2.如權利要求1的控制電路，其中該電容還包含電容堆棧層，該電容堆棧層介于該電容的下電極與介電層之間。

3.如權利要求2的控制電路，其中該電容堆棧層至少包含堆棧介電層，該堆棧介電層位于該下電極上。

4.如權利要求3的控制電路，其中該堆棧介電層的材料與該第一薄膜晶體管及該第二薄膜晶體管的柵極介電層的材料相同。

5.如權利要求3的控制電路，其中該堆棧介電層的厚度與該第一薄膜晶體管及該第二薄膜晶體管的柵極介電層的厚度相同。

6.如權利要求3的控制電路，其中該電容堆棧層還包含堆棧半導體層，該堆棧半導體層位于該堆棧介電層上。

7.如權利要求6的控制電路，其中該堆棧半導體層的材料與該第一薄膜晶體管與該第二薄膜晶體管的溝道區的材料相同。

8.如權利要求6的控制電路，其中該堆棧半導體層的厚度與該第一薄膜晶體管與該第二薄膜晶體管的溝道區的厚度相同。