[發明專利]電光裝置及電子設備

有效

• 申請號: 200710154420.5
• 申請日: 2007-09-12
• 公開（公告）號: CN101144949A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 中川雅嗣
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36;H01L27/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種電光裝置，其具有對向配置的一對基板，其特征為，

在上述一對基板的一方的基板，掃描線和數據線交叉形成為矩陣狀，并且在上述掃描線和上述數據線的交叉區域設置有晶體管的半導體層，

在上述一對基板的另一方的基板設置有島狀的遮光膜，該遮光膜對上述晶體管進行遮光，與上述半導體層至少一部分在俯視的狀態下重合。

2.根據權利要求1所述的電光裝置，其特征為：

上述半導體層在上述交叉區域，沿著上述數據線延伸的方向來設置，

上述遮光膜形成為沿上述數據線延伸的方向的島狀。

3.根據權利要求2所述的電光裝置，其特征為：

上述半導體層具備溝道區域，在上述溝道區域的上層夾著柵絕緣膜、與上述掃描線電連接的柵電極，在上述交叉區域沿著上述掃描線延伸的方向來設置，該柵絕緣膜在俯視的狀態下覆蓋上述半導體層，

上述遮光膜在上述交叉區域具備凸部來形成，該凸部沿上述掃描線延伸的方向突出，至少與上述柵電極在俯視的狀態下重合。

4.根據權利要求3所述的電光裝置，其特征為：

上述凸部的寬度形成為與上述掃描線的線寬度不同的線寬度。

5.根據權利要求4所述的電光裝置，其特征為：

上述掃描線作為對上述晶體管進行遮光的、與上述遮光膜不同的上述一方的基板側遮光膜，來發揮作用。

6.根據權利要求2所述的電光裝置，其特征為：

上述遮光膜形成為矩形狀。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的電光裝置，其特征為：

設置于上述一方的基板、沿上述數據線的、一方電極與固定電位電連接的電容線及上述數據線，作為對上述晶體管進行遮光的、與上述遮光膜不同的上述一方的基板側遮光膜，來發揮作用。

8.根據權利要求7所述的電光裝置，其特征為：

上述遮光膜的寬度形成為與上述數據線及上述電容線的線寬度不同的線寬度。

9.一種電子設備，其具備電光裝置，該電光裝置具有對向配置的一對基板，其特征為：

在上述一對基板的一方的基板，掃描線和數據線交叉形成為矩陣狀，并且在上述掃描線和上述數據線的交叉區域設置有晶體管的半導體層，

在上述一對基板的另一方的基板設置有島狀的遮光膜，該遮光膜對上述晶體管進行遮光，與上述半導體層至少一部分在俯視的狀態下重合。

10.一種電光裝置，其具有對向配置的一對基板，其特征為，

具備：

數據線，其形成于一方的上述基板；

晶體管，其和上述數據線電連接；

上述晶體管的半導體層，其具備溝道區域、第1源漏區域、第1源漏區域側的第1LDD區域、第2源漏區域及第2源漏區域側的第2LDD區域；

下側遮光膜，其形成于上述半導體層的下層，從下側對上述第1LDD區域進行遮光；以及

島狀的遮光膜，其形成于另一方的上述基板，從上側對上述第1LDD區域進行覆蓋。

11.根據權利要求10所述的電光裝置，其特征為：

具備和上述數據線交叉的掃描線，

上述下側遮光膜形成為，與上述掃描線在俯視的狀態下重合。

12.根據權利要求10所述的電光裝置，其特征為：

上述下側遮光膜是和上述數據線交叉的掃描線。

13.根據權利要求10～12中任一項所述的電光裝置，其特征為：

在一方的上述基板的上述晶體管的上層且按上述晶體管的每個，像素電極在俯視的狀態下設置成矩陣狀，該像素電極對夾持于一方的上述基板和另一方的上述基板之間的電光物質施加驅動電壓，

上述第1源漏區域電連接于上述像素電極，并且上述第2源漏區域電連接于上述數據線。

14.根據權利要求10～13中任一項所述的電光裝置，其特征為：

上述下側遮光膜及上述島狀的遮光膜具有2個突出部，該突出部在俯視的狀態下沿上述數據線方向突出；

在上述數據線方向上，向上述第1源漏區域側突出的突出部與向上述第2源漏區域側突出的突出部相比，在俯視的狀態下形成得較寬。