[發(fā)明專利]垂直腔面發(fā)射激光器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710154099.0
• 申請日: 2007-09-14
• 公開（公告）號: CN101145674A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金映鉉;金仁;李燾英
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 韓明星;譚昌馳

1.一種垂直腔面發(fā)射激光器，包括：

接觸層；

反射透鏡，布置在接觸層的中央部分處；

上電極，與反射透鏡分隔開預(yù)定距離，并被構(gòu)造為圍繞反射透鏡。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，還包括：

基底；

下反射鏡，布置在所述基底上；

上反射鏡，布置在下反射鏡上；

振蕩區(qū)，介于上反射鏡和下反射鏡之間，該振蕩區(qū)被構(gòu)造為將激光振蕩并輸出至上反射鏡。

3.如權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，還包括：下電極，布置在所述基底的下部。

4.如權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述下反射鏡是通過MOCVD和MBE之一生長的多層n型反射鏡。

5.如權(quán)利要求4所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述下反射鏡包括多層交替層積的GaAs和AlGaAs。

6.如權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述振蕩區(qū)包括：

下包層，布置在所述下反射鏡上；

激活層，布置在下包層上；

上包層，布置在激活層上。

7.如權(quán)利要求6所述的垂直腔面發(fā)射激光器，還包括：電流隔離層，布置在振蕩區(qū)的側(cè)部。

8.如權(quán)利要求6所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述激活層是GaAs基材料。

9.如權(quán)利要求2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述上反射鏡是包含AlAs和AlGaAs層的p型反射鏡，包括多層交替層積的AlAs和AlGaAs。

10.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述接觸層是p型GaAs。

11.如權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述反射透鏡的中央部分和外圍部分具有不同的高度。

12.如權(quán)利要求11所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其中，所述反射透鏡包括多層交替形成的具有不同的折射率的介電材料。

13.一種制造垂直腔面發(fā)射激光器的方法，該方法包括以下步驟：

在將下電極形成在半導(dǎo)體基底的下表面上之后，依次在半導(dǎo)體基底上生長下反射鏡、振蕩區(qū)、上反射鏡和接觸層；

在接觸層上形成環(huán)形掩模，在該環(huán)形掩模的中央部分處形成臺形開口；

通過掩模的臺式結(jié)構(gòu)的開口生長反射透鏡，該反射透鏡具有厚度不同的中央部分和外圍部分；

在去除掩模之后，圍繞反射透鏡形成環(huán)形上電極。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述掩模的開口的側(cè)壁被蝕刻為反向的臺式結(jié)構(gòu)。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述反射透鏡生長為具有預(yù)定的曲率并且厚度從反射透鏡的中央部分向外圍部分逐漸減小。