[發明專利]有源元件陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示器有效
| 申請號: | 200710153742.8 | 申請日: | 2007-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN101388398A | 公開(公告)日: | 2009-03-18 |
| 發明(設計)人: | 朱正仁;林麗年;林家樑 | 申請(專利權)人: | 奇美電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 張 波 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 元件 陣列 液晶顯示 面板 液晶顯示器 | ||
1.一種有源元件陣列基板,包括:
基板,有顯示區及位于該顯示區周邊的非顯示區;
N條掃描線及M條數據線,配置于該顯示區內,并延伸至該非顯示區, 其中這些數據線與這些掃描線相互垂直排列,且N與M為大于1的正整數;
N條次配線,配置于該基板,其中這些掃描線與這些次配線交錯排列且 互相平行;
多個像素單元,配置于該顯示區內,其中每一像素單元包括:
第一有源元件,配置于該像素單元內,并有第一柵極、第一漏極及第 一源極,該第一柵極與第n條掃描線連接,而該第一源極與第m條數據線連 接,其中n為1到N-1的正整數,而m為1到M的正整數;
第一像素電極,配置于該像素單元內,并與該第一漏極電性連接;
第二有源元件,配置于該像素單元內,并有第二柵極、第二漏極及第 二源極,該第二柵極與第n條次配線連接,而該第二源極與第m條數據線連 接;
第二像素電極,配置于該像素單元內,并與該第一像素電極并列設置 及與該第二漏極電性連接;以及
多個第三有源元件,配置于該非顯示區,且每第三有源元件位于第n 條掃描線及第n+1條掃描線之間,而每第三有源元件有第三柵極、第三漏極 與第三源極,其中該第三源極與第n條次配線連接,該第三漏極與第n條掃 描線連接,而該第三柵極與該第n+1條掃描線連接。
2.如權利要求1所述的有源元件陣列基板,其中該第一像素電極形成穿 透區,而該第二像素電極形成反射區。
3.如權利要求1所述的有源元件陣列基板,其中部分該第二像素電極位 于部分該第一有源元件上。
4.如權利要求1所述的有源元件陣列基板,在第一掃描時段,第一掃描信 號經由所述第n條掃描線傳送到所述第一有源元件以開啟所述第一有源元件, 第二掃描信號經由所述第n+1條掃描線傳送到第三有源元件以開啟所述第 三有源元件,而且第一掃描信號經由所述第三有源元件與所述第n條次配線 傳送到所述第二有源元件以開啟所述第二有源元件。
5.如權利要求4所述的有源元件陣列基板,在第二掃描時段,所述第一掃 描信號經由所述第n條掃描線傳送到所述第一有源元件以開啟所述第一有源 元件,所述第二掃描信號經由所述第n+1條掃描線傳送到所述第三有源元件, 以關閉第三有源元件與第二有源元件。
6.一種半穿透半反射式液晶顯示面板,包括:
有源元件陣列基板,包括:
基板,有顯示區及位于該顯示區周邊的非顯示區;
N條掃描線及M條數據線,配置于該顯示區內,并延伸至該非顯示 區,其中這些數據線與這些掃描線相互垂直排列,且N與M為大于1的正 整數;
N條次配線,配置于該基板,其中這些掃描線與這些次配線交錯排列 且互相平行;
多個像素單元,配置于該顯示區內,每一像素單元包括:
第一有源元件,配置于該像素單元內,并有第一柵極、第一漏極 及第一源極,該第一柵極與第n條掃描線連接,而該第一源極與第m條數據 線連接,其中n為1到N-1的正整數,而m為1到M的正整數;
第一像素電極,配置于該像素單元內,并與該第一漏極電性連接;
第二有源元件,配置于該像素單元內,并有第二柵極、第二漏極 及第二源極,該第二柵極與第n條次配線連接,而該第二源極與第m條數據 線連接;
第二像素電極,配置于該像素單元內,并與該第一像素電極并列 設置及與該第二漏極電性連接;
多個第三有源元件,配置于該非顯示區,且每第三有源元件位于 第n條及第n+1條掃描線之間,而每第三有源元件有第三柵極、第三漏極與 第三源極,其中該第三源極與第n條次配線連接,該第三漏極與第n條掃描 線連接,而該第三柵極與該第n+1條掃描線連接;
對向基板,配置于該有源元件陣列基板上;以及
液晶層,配置于該有源元件陣列基板及該對向基板之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





