[發明專利]具有金屬互連的半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710153722.0
• 申請日: 2007-09-14
• 公開（公告）號: CN101211822A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 李漢春
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種用于制造金屬互連的方法，包括以下步驟：

在包含下部互連的半導體襯底上形成電介質層；

在所述電介質層中形成暴露出所述下部互連的溝槽；

在所述電介質層上和所述溝槽中形成擴散阻擋件；

在所述擴散阻擋件上形成銅籽晶層；

將金屬摻雜劑注入所述銅籽晶層內；

在內部注入了所述金屬摻雜劑的所述銅籽晶層上形成銅金屬互連；及

由所述銅籽晶層和所述金屬摻雜劑形成合金層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述合金層的步驟包括使用熱處理工藝。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬摻雜劑包含鋁離子。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述合金層包括Cu-Al合金層。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述鋁離子是由Al₂O₃或三甲基鋁產生的。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述合金層包含Cu₂Al。

7.一種具有金屬互連的半導體器件，包括：

電介質層，位于包含下部互連的半導體襯底上；

溝槽，位于該電介質層中；

擴散阻擋件，位于所述溝槽中和所述層間電介質層上；

合金層，位于所述擴散阻擋件上；以及

銅互連，位于所述合金層上。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述合金層包括Cu-Al合金層。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述合金層包含Cu₂Al。