[發(fā)明專利]半導體存儲器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710153578.0 | 申請日: | 2007-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN101149970A | 公開(公告)日: | 2008-03-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 角谷范彥 | 申請(專利權)人: | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | G11C11/41 | 分類號: | G11C11/41;G11C11/413 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 | 代理人: | 季向岡 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲 器件 | ||
1.一種半導體存儲器件,包括:
矩陣狀配置的靜態(tài)型存儲單元;
傳輸從上述存儲單元讀出的數(shù)據(jù)的讀位線;
傳輸寫入到上述存儲單元的數(shù)據(jù)的寫位線;
傳輸從外部輸入的要寫入到上述存儲單元的數(shù)據(jù)的輸入數(shù)據(jù)線;以及
選擇性地向上述寫位線傳輸上述讀位線或上述輸入數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)的選擇器。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件,其特征在于:
上述讀位線設置有多條,其中至少一條連接在上述選擇器上。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體存儲器件,其特征在于:
上述存儲單元具有連接在各讀位線的多個單元輸出晶體管,
連接在選擇器上的讀位線所連接的單元輸出晶體管的大小比其他讀位線所連接的單元輸出晶體管小。
4.根據(jù)權利要求2所述的半導體存儲器件,其特征在于:
包括m條上述讀位線;
n條上述寫位線;
n條上述輸入數(shù)據(jù)線;以及
n個上述選擇器,其中,m、n均為自然數(shù),
上述m條讀位線中的n條分別連接在上述選擇器上。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件,其特征在于:
根據(jù)地址信號的至少一部分對上述選擇器進行選擇控制。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件,其特征在于:
根據(jù)從半導體存儲器件的外部輸入的寫入控制信號對上述選擇器進行選擇控制。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件,其特征在于:
還包括保持被輸入的信號的保持電路,
以預定的定時,保持從上述讀位線輸入到上述選擇器的信號、或從上述選擇器輸出到上述寫位線的信號。
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體存儲器件,其特征在于:
保持在上述保持電路的信號只在寫入周期時被更新。
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