[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200710153491.3
• 申請日: 2007-09-20
• 公開（公告）號: CN101290941A
• 公開（公告）日: 2008-10-22
• 發明（設計）人: 金兌規
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/82
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種圖像傳感器，包括：

半導體襯底，其中形成有電路區域；

金屬布線層，形成在所述半導體襯底上并包括多條金屬布線和層間介電層；

第一導電層，形成于所述金屬布線層上并電連接到所述多條金屬布線中的金屬布線；

多個本征層圖案，在所述金屬布線層以及所述第一導電層上形成；

像素隔離層，形成在位于所述多個本征層圖案之間并暴露所述金屬布線層的上表面的至少一部分的通孔中；

多個第二導電層，形成在位于所述多個本征層圖案與所述像素隔離層之間所述通孔的側壁和底面上；以及

透明電極，形成在所述本征層圖案上方。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述像素隔離層包括金屬材料。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，進一步包括形成在所述本征層圖案上的至少一個濾色鏡。

4.根據權利要求3所述的圖像傳感器，其中，所述透明電極形成在所述濾色鏡上并填充所述濾色鏡之間的空間。

5.根據權利要求4所述的圖像傳感器，其中，所述透明電極通過所述空間連接所述像素隔離層。

6.根據權利要求5所述的圖像傳感器，進一步包括形成在所述至少一個濾色鏡之上的透明電極；其中，所述透明電極與所述像素隔離層相接觸。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，進一步包括形成在所述多條金屬布線中的每條金屬布線上的電極。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其中，所述第一導電層形成在所述電極上。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第一導電層包含N摻雜非晶硅，所述多個本征層圖案包含非晶硅，并且所述第二導電層包含P摻雜非晶硅。

10.一種圖像傳感器的制造方法，包括：

在形成有電路區域的半導體襯底上形成金屬布線層，所述金屬布線層包括多條金屬布線和層間介電層；

在所述金屬布線層上形成與所述多條金屬布線中的一條金屬布線電連接的第一導電層；

在所述金屬布線層上形成包括通孔的本征層；

在所述通孔的側壁和底面上形成第二導電層；

在所述通孔中形成像素隔離層；以及

在所述本征層上方形成透明電極。

11.根據權利要求10所述的制造方法，進一步包括在形成所述透明電極之前，在所述本征層上形成至少一個濾色鏡。

12.根據權利要求11所述的制造方法，其中，將所述至少一個濾色鏡中相鄰的濾色鏡間隔開，使得所述像素隔離層的至少一部分不會被所述至少一個濾色鏡覆蓋。

13.根據權利要求12所述的制造方法，其中，在所述至少一個濾色鏡上形成透明電極；其中，所述透明電極與所述像素隔離層相接觸。

14.根據權利要求10所述的制造方法，進一步包括在所述多條金屬布線的每條金屬布線上形成電極。

15.根據權利要求14所述的制造方法，其中，在所述金屬布線層上形成第一導電層包括：

在上面形成有所述電極的所述金屬布線層上沉積所述第一導電層的材料；以及

蝕刻所述第一導電層的材料以使其僅保留在所述電極的外表面。

16.根據權利要求10所述的制造方法，其中，在所述金屬布線層上形成第一導電層包括：

在所述金屬布線層上沉積所述第一導電層的材料；以及

蝕刻所述第一導電層的材料以使其與所述金屬布線層的金屬布線保持電連接。

17.根據權利要求10所述的制造方法，進一步包括，在形成所述第一導電層時，在所述金屬布線層上形成多個第一導電層，每個所述第一導電層電連接到所述多條金屬布線中對應的金屬布線，

其中形成包括通孔的本征層包括：

在所述金屬布線層以及所述多個第一導電層上沉積所述本征層的材料；以及

蝕刻所述本征層的材料，以形成使相鄰的所述第一導電層之間的層間介電層的上表面暴露的通孔。

18.根據權利要求10所述的制造方法，其中，所述像素隔離層包括金屬材料。

19.根據權利要求10所述的制造方法，其中，所述第一導電層包括N摻雜非晶硅，所述本征層包括非晶硅，以及所述第二導電層包括P摻雜非晶硅。