[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710153486.2
• 申請日: 2007-09-20
• 公開（公告）號: CN101154675A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃俊
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/71
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種圖像傳感器，包括微透鏡陣列和多個間隙，其中該微透鏡陣列具有水平方向和垂直方向，所述水平方向和垂直方向上的相鄰?fù)哥R之間不具有間隙，以及在對角線方向上的相鄰?fù)哥R之間具有間隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述間隙的尺寸為0.2μm-0.7μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述水平方向上的兩個相鄰?fù)哥R和分別與所述水平方向上的兩個相鄰?fù)哥R位于同一垂直方向上的兩個相鄰?fù)哥R限定四邊形空間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中所述四邊形空間為正方形空間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其中所述正方形空間的邊長為0.2μm-0.5μm。

6.一種圖像傳感器，包括：

下部結(jié)構(gòu)，具有多個光電二極管和布線；以及

微透鏡陣列，位于該下部結(jié)構(gòu)上并具有水平方向和垂直方向，每個微透鏡配置為將光聚焦到相應(yīng)的光電二極管上，

其中在所述水平方向和垂直方向上的相鄰?fù)哥R之間不具有間隙，以及在對角線方向上的相鄰?fù)哥R之間具有間隙或空間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述間隙或空間的尺寸為0.2μm-0.7μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述水平方向上的兩個相鄰?fù)哥R和分別與所述水平方向上的兩個相鄰?fù)哥R位于同一垂直方向上的兩個相鄰?fù)哥R限定四邊形空間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其中所述四邊形空間為正方形空間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，其中所述正方形空間的邊長為0.2μm-0.5μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述間隙或空間具有十字形或加號形。

12.一種圖像傳感器的制造方法，包括如下步驟：

形成具有水平方向和垂直方向的圖案化光致抗蝕劑陣列；以及

通過對所述圖案化光致抗蝕劑陣列進行熱處理在所述水平方向和垂直方向上形成微透鏡陣列，其中在所述水平方向和垂直方向上的相鄰?fù)哥R之間不具有間隙，以及在對角線方向上的相鄰?fù)哥R之間具有間隙或空間。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中對所述圖案化光致抗蝕劑陣列進行熱處理的步驟包括回流處理。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述回流處理在120℃-250℃的溫度范圍內(nèi)進行。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述回流處理在150℃-200℃的溫度范圍內(nèi)進行。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述回流處理進行的時間長度足以使得圖案化光致抗蝕劑單元變圓或彎曲。

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述間隙或空間的尺寸為0.2μm-0.7μm。

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述水平方向上的兩個相鄰?fù)哥R和分別與所述水平方向上的兩個相鄰?fù)哥R位于同一垂直方向上的兩個相鄰?fù)哥R限定正方形空間。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述正方形空間的邊長為0.2μm-0.5μm。

20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在對所述圖案化光致抗蝕劑陣列進行熱處理的步驟中，使得光致抗蝕劑回流到對角線方向上相鄰的圖案化單元之間的預(yù)定空間。