[發(fā)明專利]高壓元件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710152901.2
• 申請日: 2007-09-21
• 公開（公告）號: CN101393930A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發(fā)明（設計）人: 馬云涵;李明宗;梁世明;陳輝煌
• 申請（專利權）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/51;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 魏曉剛;彭久云

1、一種高壓元件，包括：

柵極，位于基底上；

兩源極/漏極區(qū)，分別位于該柵極兩側(cè)的該基底中；以及

復合柵介電層，位于該柵極與該基底之間，其包括堆疊的至少兩連續(xù)層，分別自該柵極的一側(cè)延伸至另一側(cè)，其中該堆疊的至少兩連續(xù)層為至少一熱氧化層和至少一化學氣相沉積的沉積層組合。

2、如權利要求1所述的高壓元件，其中該化學氣相沉積的沉積層包括以四乙基硅氧烷做為反應氣體源所形成的氧化硅層。

3、如權利要求1所述的高壓元件，其中該化學氣相沉積的沉積層包括高溫熱氧化層。

4、如權利要求1所述的高壓元件，其中該熱氧化層與該化學氣相沉積的沉積層的厚度比為1:0.5～1:1.5。

5、如權利要求1所述的高壓元件，還包括兩隔離結(jié)構(gòu)，分別位于該柵極與該兩源極/漏極之間的該基底中。

6、如權利要求5所述的高壓元件，其中該化學氣相沉積的沉積層延伸覆蓋至部分該兩隔離結(jié)構(gòu)上。

7、如權利要求1所述的高壓元件，其中該堆疊的至少兩連續(xù)層是由單一熱氧化層和單一化學氣相沉積的沉積層組合而成。

8、如權利要求1所述的高壓元件，其中該堆疊的至少兩連續(xù)層是由多層熱氧化層和單一化學氣相沉積的沉積層組合而成。

9、如權利要求1所述的高壓元件，其中該堆疊的至少兩連續(xù)層是由多層熱氧化層和多層的化學氣相沉積的沉積層組合而成。

10、如權利要求1所述的高壓元件，其中該堆疊的至少兩連續(xù)層是由單一熱氧化層和多層的化學氣相沉積的沉積層組合而成。

11、一種高壓元件的制造方法，包括：

在基底上形成復合柵介電層，該復合柵介電層至少包括堆疊的至少兩連續(xù)層，其中該堆疊的至少兩連續(xù)層為至少一熱氧化層和至少一化學氣相沉積的沉積層的組合；

在該復合柵介電層上形成柵極；以及

在該柵極兩側(cè)的基底中分別形成源極/漏極區(qū)。

12、如權利要求11所述的高壓元件的制造方法，還包括在形成該化學氣相沉積的沉積層之后進行熱回火工藝。

13、如權利要求12所述的高壓元件的制造方法，其中該熱回火工藝是在爐管中進行。

14、如權利要求12所述的高壓元件的制造方法，其中該熱回火工藝的溫度為攝氏1150±50度。

15、如權利要求12所述的高壓元件的制造方法，其中該熱回火工藝的時間為30±5分鐘。

16、如權利要求11所述的高壓元件的制造方法，其中該熱氧化層與該化學氣相沉積的沉積層的形成方法包括：

在該基底上形成圖案化掩模層，其具有開口，裸露出該基底；

進行熱氧化工藝，以使該開口所裸露的該基底成長形成該熱氧化層；

進行化學氣相沉積工藝，以在該圖案化掩模層以及該熱氧化層上形成沉積材料層；

在該基底上方形成圖案化光致抗蝕劑層，覆蓋該熱氧化層上方的該沉積材料層；

移除未被該圖案化光致抗蝕劑層所覆蓋的該沉積材料層，使留下的該沉積材料層形成該化學氣相沉積層；

移除該圖案化光致抗蝕劑層；以及

移除該圖案化掩模層。

17、如權利要求16所述的高壓元件的制造方法，其中該掩模層的形成方法包括依序形成在該基底上的墊氧化層與氮化硅層。

18、如權利要求11所述的高壓元件的制造方法，其中該化學氣相沉積的沉積層包括以四乙基硅氧烷做為反應氣體源所形成的氧化硅層。

19、如權利要求11所述的高壓元件的制造方法，其中該化學氣相沉積的沉積層包括高溫熱氧化層。

20、如權利要求11所述的高壓元件的制造方法，其中該熱氧化層與該化學氣相沉積的沉積層的厚度比為1:0.5～1:1.5。

21、如權利要求11所述的高壓元件的制造方法，其中在形成該復合柵介電層之前還包括在該基底中形成兩隔離結(jié)構(gòu)，該復合柵介電層是形成在該兩隔離結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)之間的該基底上；該兩源極/漏極區(qū)是形成在該兩隔離結(jié)構(gòu)的外側(cè)的該基底中。